Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Определение рекомбинационных параметров полупроводникового материала с помощью метода Прони

Быковский Ю.А.¹, Колосов К.В.¹, Зуев В.В.¹, Кирюхин А.Д.¹, Расмагин С.И.¹

¹Московский государственный инженерно-физический институт (технический университет), Москва, Россия

Поступила в редакцию: 13 октября 1997 г.

Выставление онлайн: 19 марта 1999 г.

PDF версия

Использован обобщенный метод Прони для обработки экспериментальных данных релаксационного типа. Метод позволяет разделять составной релаксационный процесс на элементарные составляющие (затухающие экспоненты) и систематически отслеживать изменение их параметров при внешнем воздействии, что открывает дополнительные каналы информации о порождающем физическом процессе. Метод применен к обработке данных спада фотопроводимости сложнолегированного компенсированного кремния в интервале температур 100-300 K после импульсного возбуждения лазерным излучением с lambda=1.06 mum в микроволновом поле. Получено значение энергии залегания уровня 0.17±0.01 eV, что хорошо согласуется с энергией комплекса кислород-вакансия.

Амиров Ю.Г., Данилевский А.М., Челноков В.Е. // ФТП. 1976. Т. 10. Вып. 10. С. 1986--1989
Григорьев В.В., Зуев В.В., Мехтиев М.М. и др. // ФТП. 1990. Т. 24. Вып. 11. С. 2011--2014
Заварицкая Э.И., Кудинов А.В. // ФТП. 1984. Т. 18. Вып. 12. С. 2160--2165
Аношин Ю.А., Базин В.М., Даревский А.С. // ЖТФ. 1989. Т. 59. Вып. 6. С. 165--166
Зуев В.В., Расмагин С.И., Воронкова Г.М., Воронов Ю.А. // Конф. "Надежность и контроль качества изделий электронной техники". Севастополь, 1990
Марпл С.Л. Цифровой спектральный анализ и его приложения. М., 1990
Березин И.С., Жидков Н.П. Методы вычислений. Т. 1, 2. М., 1959
Мудров А.Е. Численные методы для ПЭВМ. Томск, 1992
Бонч-Бруевич В.Л., Калашников Р.Г. Физика полупроводников. М., 1977
Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М., 1963
Левин Б.Р. Теоретические основы статической радиофизики. Кн. 2. М., 1968

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель