Энергетические барьеры на межфазных границах в МДП системе Me--Yb2O3--Si
Рожков В.А.1, Трусова А.Ю.1
1Самарский государственный университет, Самара, Россия
Поступила в редакцию: 3 декабря 1997 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1999 г.
Исследованы электрофизические свойства кремниевых МДП структур с оксидом иттербия в качестве диэлектрика. Установлено, что электропроводность МДП структур описывается механизмом Пула-Френкеля. С помощью вольт-фарадных характеристик измерены фиксированный заряд в диэлектрике и плотность поверхностных состояний. Методом внутренней фотоэмиссии носителей заряда в диэлектрик определены энергетические барьеры для электронов на границах раздела. Исследованы параметры глубоких электронных ловушек в оксиде иттербия.
- Вдовин О.С., Кирьяшкина З.И., Котелков В.Н. и др. Пленки оксидов редкоземельных элементов в МДМ и МДП структурах. Саратов: Университет, 1983. 160 с
- Рожков В.А., Вдовин О.С., Котелков В.Н., Свердлова А.М. // Микроэлектроника. 1976. Т. 5. N 1. С. 28--31
- Рожков В.А., Вдовин О.С., Котелков В.Н., Свердлова А.М. // Электронная пром-сть. 1973. N 1. С. 22--23
- Рожков В.А., Петров А.И. // Письма в ЖТФ. 1985. Т. 11. Вып. 1. С. 49--52
- Аношин Ю.А., Петров А.И., Рожков В.А. и др. // ЖТФ. 1994. Т. 64. Вып. 10. С. 118--123
- Deal B.E., Snow E.H., Mead C.A. // J. Phys. Chem. Sol. 1966. Vol. 27. N 11/12. P. 1873--1879
- Powell R.J. // J. Appl. Phys. 1969. Vol. 40. N 13. P. 1093--1101
- Powell R.J. // J. Appl. Phys. 1969. Vol. 41. N 6. P. 2424--2432
- Di Maria D.J. // J. Appl. Phys. 1976. Vol. 47. N 9. P. 4073--4077
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук