Вышедшие номера
Исследование влияния границы фоторефрактивного пьезокристалла на структуру наведенных полей при записи голографических решеток
Шандаров С.М., Шандаров В.М.
Выставление онлайн: 20 января 1990 г.

При записи голографических решеток в фоторефрактивных кристаллах вблизи границ возможно существование неоднородных упругих и электростатических полей. В работе изучена структура таких полей для полуограниченных пьезокристаллов классов симметрии 3m и 4mm в случае, когда нормаль к границе совпадает с осью Y, а вектор решетки - с осью Z. Экспериментально исследована дифракция волноводных TE-мод планарного волновода Ti : LiNbO3 : Cu на сформированной в подложке голографической решетке, в результате чего получено подтверждение неоднородности наведенных упругих и электрических полей.