Структура временного фотоотклика полупроводниковых сенсоров
Бут А.В.1, Мигаль В.П.1, Фомин А.С.1
1Национальный аэрокосмический университет им. Н.Е. Жуковского Харьковский авиационный институт, Харьков, Украина
Email: khai_physical_lab@xai.edu.ua
Поступила в редакцию: 18 августа 2011 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2012 г.
Установлено, что преобразование временного фотоотклика I(t) кристалла в сигнатуру I(t)-dI/dt фазовой плоскости позволяет определить парциальные вклады составляющих структуры фотоотклика и степень их взаимосвязи, а также предложить интегративные показатели устойчивости Bdin и асимметрии Klambda,E структуры фотоотклика, отображающие влияние внешних и внутренних факторов соответственно.
- Abbene L., Del Sordo S. et al. // Nucl. Sci. Symp. Conf. Record. 2007. Vol. 2. P. 1525--1530
- Koley G., Liu J., Mandal Krishna C. // Appl. Phys. Lett. 2007. Vol. 90. P. 102 121
- Бут А.В., Мигаль В.П., Фомин А.С. // ФТП. 2009. Т. 43. Вып. 9. С. 1257--1260
- Бут А.В., Мигаль В.П., Фомин А.С. // ФТП. 2009. Т. 43. Вып. 5. C. 608--612
- Мигаль В.П., Фомин А.С. // Неорганические материалы. 2007. Т. 43. N 11. С. 1316--1320
- Мигаль В.П., Фомин А.С. // Письма в ЖТФ. 2006. Т. 32. Вып. 11. С. 44--51
- Fu D.J., Lee J.C., Choi S.W. et al. // Appl. Phys. Lett. 2002, Vol. 81. N 27. P. 5207
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук