Электрические свойства FeIn2S4 на переменном токе
Нифтиев Н.Н., Тагиев О.Б., Мурадов М.Б., Мамедов Ф.М.1
1Институт проблемы химии НАН Азербайджана, Az--, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 18 августа 2011 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2012 г.
Приведены результаты исследования частотных и температурных зависимостей емкости и сопротивления полупроводников FeIn2S4 на переменном токе. При определенных температурах в интервале частот 2.5·105-5·105 Hz наблюдаются резонансные явления. Определены диэлектрические проницаемости кристаллов и энергии активации носителей тока. Установлено, что в исследуемой температурной области электропроводность обусловлена активационным механизмом. Наблюдается частотная зависимость энергии активации, которая связана с уменьшением времени релаксации запирающих слоев при увеличении частоты.
- Kanomata T., Ido H., Kaneko T. // J. Phys. Soc. Japan. 1973. Vol. 34. N 2. P. 554
- Бабаева Б.К. Тройные полупроводники и их применение. Кишинев: Штиинца, 1976. С. 96
- Рустамов П.Г., Бабаева Б.К., Аллазов М.Р. // Журн. неорган. химии. 1979. Т. 24. N 8. С. 2208
- Schlein S., Aoran W. // J. of Sol. Stat. Chem. 1972. Vol. 4. N 2. P. 286
- Бекимбетов Р.Н., Рудь Ю.В., Таиров М.А. // ФТП. 1987. Т. 21. Вып. 6. С. 1051
- Нифтиев Н.Н., Тагиев О.Б., Нифтиев Г.М. // Неорган. матер. 1996. Т. 32. N 3. С. 291
- Бекимбетов Р.Н. // Неорган. матер. 2002. Т. 38. N 8. С. 953
- Нифтиев Н.Н., Алиджанов М.А., Тагиев О.Б., Мурадов М.Б. // Укр. физ. журн. 2002. Т. 47. N 11. С. 1054
- Lu Q., Hu J., Tang K., Qian Y., Zhou G., Liu X. // J. Chem. Lett. 1999. Vol. 6. P. 481
- Xiangying C., Zhongjie Z., Jianwei L., Yitai Q. // J. of Cryst. Growth. 2005. Vol. 277. P. 524
- Боднарь И.В., Павлюковец С.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. // ФТП. 2009. Т. 43. Вып. 11. С. 1553
- Боднарь И.В., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И. // ФТП. 2010. Т. 44. Вып. 1. С. 39
- Нифтиев Н.Н., Тагиев О.Б. // Письма в ЖТФ. 2005. Т. 31. Вып. 19. С. 72
- Torres T., Sagredo V., De Chalbaud L.M., Atolini G., Bolzoni F. // Physica B: Condens, Matter. 2006. Vol. 384. N 1--2. P. 100
- Sagredo V., Moron M.C., Betacourt L., Delgado G.E. // J. of Magn. Mater. 2007. Vol. 312. N 2. P. 294
- Нифтиев Н.Н., Тагиев О.Б. // ФТП. 2007. Т. 41. Вып. 1. С. 17
- Орешкин П.Г. // Физика полупроводников и диэлектриков. М.: Высшая школа, 1977. С. 448
- Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1982. Т. 1. С. 368
- Поплавко Ю.М. Физика диэлектриков. М.: Высшая школа, 1980. С. 400
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук