ЖТФ, 2009, том 79, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Образование и электронно-лучевой отжиг имплантационных дефектов в тонкопленочной гетероструктуре Si-SiO2

А.Ф.Зацепин,1 С.Касчиева,2 Д.Ю.Бирюков,1 С.Н.Дмитриев,3 Е.А.Бунтов 1

1 Уральский государственный технический университет,
620002 Екатеринбург, Россия
e-mail: zats@dpt.ustu.ru
2 Институт физики твердого тела Болгарской АН,
1874 София, Болгария
3 Объединенный институт ядерных исследований,
141980 Дубна, Московская область, Россия

(Поcтупило в Редакцию 4 июня 2008 г.)

Методом фотостимулированной электронной эмиссии (Optically Stimulated Electron Emission --- OSEE) исследованы радиационные дефекты в пленках SiO2 (20 nm) на кремниевой подложке. Под воздействием ускоренных ионов кремния (12 keV) обнаружено образование различных кислородно-дефицитных центров, среди которых доминирующими являются дефекты E'-типа. Последующее облучение электронами с энергией 23 MeV вызывает трансформацию дефектной структуры пленки SiO2, состоящую в эффективном распаде дефектов, индуцированных ионной имплантацией.

PACS: 61.80.Fe, 68.55.Ln, 79.60.-I

 PDF версия (739Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster