ЖТФ, 2008, том 78, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние электромагнитного облучения на фазовый состав кластеризованных пленок CNx

З.А.Самойленко, Е.И.Пушенко, Н.Н.Ивахненко, В.Н.Варюхин, А.М.Прудников, Р.В.Шалаев

Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина НАН Украины,
83114 Донецк, Украина

(Поступило в Редакцию 26 июня 2007 г.)

Методами рентгеноструктурного анализа и спектроскопии видимого диапазона исследовано влияние электромагнитного облучения белым и ультрафиолетовым (УФ) светом на фазовый состав аморфных пленок CNx. Пленки имели разномасштабный атомный порядок в виде аморфных (30 Angstrem) кластеров графитовой фазы, кристаллических кластеров 50-100 Angstrem графитовой, алмазной и карбонитридной фаз и межкластерной среды с ближним атомным порядком 1-2 Angstrem.

Показано, что облучение растущей поверхности пленок белым светом стимулирует рост мелких кластеров графитовой фазы. Облучение УФ светом подавляет развитие кластеров графитовой и карбонитридной фаз, стимулируя преимущественный рост (1.5%) алмазной фазы.

Показано, что изменение мезоскопического фазового состава пленок CNx вызывает изменение ширины запрещенной зоны для видимой области спектра от Eg=0.75 eV для пленок, облученных белым светом до Eg=1.75 eV при облучении слоев УФ-светом.

PACS: 81.40.Tv, 78.67.-h, 42.70.Gi

 PDF версия (252Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster