ЖТФ, 2008, том 78, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фоточувствительность и определение высоты барьеров Шоттки в структурах Au-n-GaAs

Д.Мелебаев,1 Г.Д.Мелебаева,1 В.Ю.Рудь,2 Ю.В.Рудь3

1 Туркменский государственный университет им. Магтымгулы,
744000 Ашхабад, Туркменистан
2 Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия
e-mail: rudvas@spbstu.ru
3 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Поступило в Редакцию 7 июня 2007 г.)

Исследованы спектры фоточувствительности полученных химическим методом барьеров Шоттки Au-n-GaAs в спектральной области 0.9-2.2 eV. Определена высота барьера как при освещении со стороны полупрозрачного слоя Au, так и со стороны GaAs при T=300 K. Обнаружено, что при освещении структур со стороны GaAs их фоточувствительность в фаулеровской области спектра hnu=0.95-1.25 eV возрастает по сравнению с освещением со стороны барьерного контакта примерно на порядок, что может найти применение при изучении фундаментальных свойств границ раздела металл-полупроводник и металл-диэлектрик-полупроводник, а также при разработке новых приборов полупроводниковой электроники.

PACS: 78.20.-e, 29.40.w, 07.85.F

 PDF версия (224Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster