ЖТФ, 2007, том 77, выпуск 5: page 96...

ЖТФ, 2007, том 77, выпуск 5

Содержание	Предыдущая статья	Следующая статья	Поиск

Фазовые переходы в системе CN_x + TiN при изменении напряжения смещения в процессе ионно-стимулированного роста

З.А.Самойленко, Е.И.Пушенко, Н.Н.Ивахненко, Б.Е.Шкуратов, В.Н.Варюхин

Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина НАН Украины,
83114 Донецк, Украина

(Поступило в Редакцию 29 августа 2006 г.)

С помощью рентгеновского дифракционного анализа проведены исследования структуры аморфных пленок CN

_x+TiN, полученных методом ионно-стимулированной конденсации, различающихся напряжением смещения

U=200-500

V. Обнаружено, что в процессе повышения напряжения

U=300-360

V в структуре пленок CN

_x + TiN происходит фазовый переход в разномасштабной аморфной фазе (

20-50

Angstrem), связанный с увеличением доминирующего содержания фракции среднеячеистых (4 Angstrem) углеродных кластеров по сравнению с крупно- (8 Angstrem) и мелкоячеистыми (2 Angstrem) кластерами.

Показано, что при этом в структуре кристаллических кластеров ( $80-150$ Angstrem) имеет место фазовый переход от предпочтительного развития кластеров карбидной фазы (Ti₂C(N)) к кластерам графитовой ( $C$ _g) и алмазной (C_d) фаз размером $~ 100$ Angstrem.

PACS: 61.43. Dq

PDF версия (319Kb) Другие выпуски Другие журналы Помощь

Copyright (C) 2007, Коллектив авторов Разработано... webmaster