| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Абсолютные сечения прилипания электрона к молекулярным кластерам. II. Образование (HO), (NO), (N)
А.А.Востриков, Д.Ю.Дубов
Институт теплофизики СО РАН,
630090 Новосибирск, Россия
e-mail: vostrikov@itp.nsc.ru
(Поступило в Редакцию 12 февраля 2006 г.)
|
Методом пересекающихся в вакууме пучков кластеров и электронов измерены абсолютные сечения прилипания электрона к кластерам (HO), (NO), (N) при варьировании энергии электронов и размера кластеров . Обнаружены континуумы , которые хорошо коррелируют с функциями возбуждения внутренних степеней свободы молекул электронным ударом. Прилипание электрона при этом происходит вследствие сольватации электрона в кластере. Зависимости образования (HO), (NO), (N) носят резко выраженный пороговый характер, что объясняется увеличением вероятности термализации и сольватации электрона с ростом . Оценки скорости потери энергии медленным электроном в кластере показали, что при eV для (HO), (NO) и (N потери составляют , и eV/m. Наиболее быстрое увеличение с ростом зарегистрировано при для кластров (HO) и (N, что объясняется поляризационным захватом -электрона. Так, при eV и для кластеров HO, NO и N соответственно получено , и cm. При eV для (HO), (NO) и (N получено , и cm, а при eV для (NO) cm и для (N cm. PACS: 34.80.Ht, 36.40.-c, 36.40.Wa |
| PDF версия (500Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2006, Коллектив авторов Разработано... webmaster |