ЖТФ, 2006, том 76, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Кинетика решеток заряда в фоторефрактивных кристаллах

Н.А.Гусак

Институт повышения квалификации и переподготовки кадров по новым направлениям развития техники,
технологии и экономики Белорусского национального технического университета,
220107 Минск, Белоруссия
e-mail: rectorat@ipk.by

(Поступило в Редакцию 25 апреля 2005 г.)

Получены уравнения для концентраций заряда решетки и свободных носителей, порождаемых стоячей световой волной в анизотропном фоторефрактивном кристалле, и найдены их решения. Установлена зависимость величины заряда и электрического поля от ориентации решетки относительно кристаллографических осей среды. Показано, что кинетика решеток заряда определяется разностью двух экспонент с характерными временами, сумму которых можно трактовать как постоянную затухания решетки. Обнаружено существование трех областей значений времени максвелловской релаксации, отличающихся между собой характером поведения этой постоянной. Проанализирована кинетика решеток для некоторых кристаллов.

PACS: 81.05.-t

 PDF версия (127Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2006, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster