ЖТФ, 2004, том 74, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Потенциал плоскостного каналирования в поверхностном слое кристалла LiH

Н.А.Корхмазян, Н.Н.Корхмазян, Н.Э.Бабаджанян

Армянский педагогический университет им. Х. Абовяна,
375010 Ереван, Армения

(Поcтупило в Редакцию 1 сентября 2003 г.)

Показано, что потенциал в поверхностном слое кристалла несколько отличается от потенциала в глубине кристалла. Это отличие крайне мало, порядка 3%. Показано также, что толщина слоя, в котором имеет место это изменение, пренебрежимо мала по сравнению с длиной деканалирования.

 PDF версия (87Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster