ЖТФ, 2004, том 74, выпуск 8

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние особенностей конструирования дефектных структур кристаллов германия на его пластические свойства

М.А.Алиев, Б.Г.Алиев, Х.О.Алиева, А.Р.Велиханов, Ш.Р.Муталибов, В.В.Селезнев

Институт физики Дагестанского научного центра РАН,
367003 Махачкала, Россия
e-mail: kamilov@datacom.ru

(Поступило в Редакцию 9 декабря 2003 г.)

Предложена новая технология конструирования структур полупроводниковых кристаллов пластическим деформированием в электрическом поле, приведена установка, реализующая предложенный способ, позволяющая изучить идею самоорганизации дислокационных, диссипативных структур.

 PDF версия (119Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster