ЖТФ, 2004, том 74, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Механизмы протекания тока в структурах металл/p-CuInSe2

П.Н.Горлей,1 З.Д.Ковалюк,2 В.Б.Орлецкий,2 О.Н.Сидор,2 В.В.Нетяга,2 В.В.Хомяк 1

1 Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича,
58012 Черновцы, Украина
e-mail: semicon@chnu.cv.ua
2 Институт проблем материаловедения НАН Украины, Черновицкое отделение,
58001 Черновцы, Украина
e-mail: chimsp@unicom.cv.ua

(Поступило в Редакцию 21 октября 2003 г.)

Барьеры Шоттки изготовлены путем термического напыления индия на монокристаллы CuInSe2 p-типа. Обсуждаются температурные зависимости вольт-амперных характеристик и механизмы прохождения тока в исследуемых диодах. Показано, что полученные на поверхностно-барьерных структурах довольно высокие и воспроизводимые результаты таких основных параметров, как напряжение холостого хода и ток короткого замыкания, при довольно простой и дешевой технологии изготовления этих структур свидетельствуют о перспективности данного направления для фотопреобразования солнечного излучения.

 PDF версия (183Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster