ЖТФ, 2004, том 74, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Адсорбция атомов щелочных металлов на поверхности арсенида галлия: изменение работы выхода

С.Ю.Давыдов,1 А.В.Павлык 2

1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,
194021 Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет (ЛЭТИ),
197376 Санкт-Петербург, Россия
e-mail: sergei.davydov@mail.ioffe.ru

(Поступило в Редакцию 17 сентября 2003 г.)

В рамках простой модели рассчитано изменение работы выхода при адсорбции атомов Cs на поверхности (100) и K, Rb и Cs на поверхности (110) GaAs. Модель включает как диполь-дипольное взаимодействие адатомов, так и уширение их квазиуровней за счет обменных эффектов. Результаты расчета хорошо согласуются с данными эксперимента.

 PDF версия (150Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster