ЖТФ, 2004, том 74, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

О новом комбинационном механизме захвата горячих электронов в полупроводнике

З.С.Качлишвили, М.Г.Хизанишвили, Э.Г.Хизанишвили

Тбилисский государственный университет им. И. Джавахишвили,
380028 Тбилиси, Грузия
e-mail: Usc@ictsu.tsu.edu.ge   marina@ictsu.tsu.edu.ge

(Поступило в Редакцию 9 июня 2003 г.)

Предложен новый комбинационный механизм рекомбинации --- ударнотепловой (УТ). Вычислено соответствующее сечение захвата. Установлены области электрических полей, для которых указанный механизм входит в силу и становится доминирующим над лэксовским каскадным механизмом. Вычисления проводились для n-типа образцов с разными концентрациями нейтральных атомов примеси N0 и степенями компенсации K.

 PDF версия (166Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster