ЖТФ, 2003, том 73, выпуск 5: page 126...

ЖТФ, 2003, том 73, выпуск 5

Содержание	Предыдущая статья	Следующая статья	Поиск

Электрические свойства поверхностно-барьерной фотодиодной структуры на основе HgInTe

Л.А.Косяченко, Ю.С.Паранчич, В.Н.Макогоненко, В.М.Склярчук, Е.Ф.Склярчук, И.И.Герман

Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича,
58012 Черновцы, Украина
e-mail: rektor@chnu.cv.ua

(Поступило в Редакцию 20 августа 2002 г.)

Исследованы поверхностно-барьерные фотодиоды, полученные вакуумным напылением полупрозрачного слоя золота на монокристаллы Hg

₃In

₂Te

₆. Приведены вольт-амперные характеристики при температурах

5-50

^oC и спектры фоточувствительности в актуальном для волоконно-оптической связи диапазоне

0.6-1.8

mum. Механизмы переноса заряда интерпретируются в рамках генерации--рекомбинации в области пространственного заряда диодной структуры.