ЖТФ, 2002, том 72, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Дефекты и дефектообразование в окисном слое ионно-имплантированных структур кремний--двуокись кремния

А.П.Барабан, Л.В.Милоглядова

Санкт-Петербургский государственный университет, Научно-исследовательский институт физики,
198904 Санкт-Петербург, Россия

(Поступило в Редакцию 18 января 2001 г. В окончательной редакции 9 октября 2001 г.)

Совместно методами электролюминесценции и методами, основанными на измерении высокочастотных вольт-фарадных характеристик, исследовались структуры Si--SiO2, полученные термическим окислением кремния КЭФ-5 (100) во влажном кислороде при температуре 950oC (толщина окисного слоя 250 nm), имплантированные ионами аргона с энергией 130 keV и дозами 1013-3.2· 1017 cm-2. Установлена связь природы, свойств и механизмов формирования дефектов, образующихся в окисном слое имплантированных структур. На основании этого предложена модель дефектообразования в результате имплантации ионов Ar в структуры Si--SiO2.

 PDF версия (133Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2002, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster