С использованием метода низкотемпературной фотолюминесцентной спектроскопии исследовано влияние температуры облучения электронами и протонами на образование радиационных дефектов в 4H-SiC диодах Шоттки. Установлено, что температура, при которой проводится облучение, существенно влияет на процесс формирования радиационных дефектов в базовом слое n-4H-SiC диодов. Это наблюдение хорошо согласуется с результатами изменения электрических свойств тех же образцов под воздействием протонного и электронного облучения. Ключевые слова: 4H-SiC диод Шоттки, протонное облучение, электронное облучение, фотолюминесценция, проводимость.