Вышедшие номера
Особенности спектров комбинационного рассеяния света слоистых кристаллов 2H-α-In2Se3 различной толщины
Елисеев И.А. 1, Осоченко Г.В.1, Смирнов А.Н. 1, Давыдов В.Ю. 1, Рахлин М.В. 1, Котова Л.В. 1, Гасникова К.А.1, Алексеев П.А. 1, Китаев Ю.Э. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: ilya.eliseyev@mail.ioffe.ru, osochenko_2000@mail.ru, alex.smirnov@mail.ioffe.ru, valery.davydov@mail.ioffe.ru, Rakhlin.Maxim@mail.ioffe.ru, Kotova@mail.ioffe.ru, gasponi_li@mail.ru, npoxep@gmail.com, Yu.Kitaev@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 30 апреля 2024 г.
В окончательной редакции: 28 октября 2024 г.
Принята к печати: 30 октября 2024 г.
Выставление онлайн: 19 января 2025 г.

Представлены результаты исследований колебательных свойств слоистых кристаллов α-In2Se3 при изменении количества составляющих их слоев. Совместный анализ данных спектроскопии КРС и атомно-силовой микроскопии с последующим теоретико-групповым анализом колебательных мод позволили установить закономерности изменения параметров спектральных линий в области высоких и сверхнизких (ω<50 cm-1) частот. Впервые показано, что частота высокочастотной линии A1(3) (ω~200 cm-1) может быть использована для оценки толщины α-In2Se3 в диапазоне от семи до нескольких десятков слоев. Ключевые слова: двумерные материалы, селенид индия, спектроскопия КРС, колебательные свойства.
  1. B. Guo, Q.-I. Xiao, S.-H. Wang, H. Zhang. Laser Photonics Rev. 13, 1800327 (2019). DOI: 10.1002/lpor.201800327
  2. A.R.-P. Montblach, M. Barbone, I. Ahranovich, M. Atature, A.C. Ferrari. Nat. Nanotechnol. 18, 555 (2023). DOI: 10.1038/s41565-023-01354-x
  3. Y.-T. Huang, N.-K. Chen, Z.-Z. Li, X.-P. Wang, H.-B. Sun, S. Zhang, X.-B. Li. InfoMat. 4, e12341 (2022). DOI: 10.1002/inf2.12341
  4. L. Liu, J. Dong, J. Huang, A. Nie, K. Zhai, J. Xiang, B. Wang, F. Wen, C. Mu, Z. Zhao, Y. Gong, Y. Tian, Z. Liu. Chem. Mater. 31, 10143 (2019). DOI: 10.1021/acs.chemmater.9b03499
  5. J. Li, H. Li, X. Niu, Z. Wang. ACS Nano. 15, 18683 (2021). DOI: 10.1021/acsnano.1c03836
  6. S. Mukherjee, E. Koren. Isr. J. Chem. 62, e202100112 (2022). DOI: 10.1021/acsnano.1c03836
  7. Y. Li, M. Gong, H. Zeng. J. Semicond. 40, 061002 (2019). DOI: 10.1088/1674-4926/40/6/061002
  8. C.K.Y. Tan, W. Fu, K.P Loh. Chem. Rev. 123, 8701 (2023). DOI: 10.1021/acs.chemrev.3c00129
  9. X. Zhang, X.F. Qiao, W. Shi, J.B. Wu, D.S. Jiang, P.H. Tan. Chem. Soc. Rev. 44, 2757 (2015). DOI: 10.1039/c4cs00282b
  10. J.-U. Lee, S. Woo, J. Park, H.C. Park, Y.-W. Son, H. Cheong. Nat. Commun. 8, 1370 (2017). DOI: 10.1038/s41467-017-01487-3
  11. B.R. Borodin, F.A. Benimetsky, V.Yu. Davydov, I.A. Eliseyev, P.A. Alekseev. ACS Appl. Nano Mater. 6, 14, 13148 (2023). DOI: 10.1021/acsanm.3c01883
  12. V.Yu. Davydov, Yu.E. Kitaev, A.N. Smirnov, I.A. Eliseyev, A.N. Starukhin, P.S. Avdienko, I.V. Sedova, S.V. Sorokin. J. Phys. Conf. Ser. 1400, 055007 (2019). DOI: 10.1088/1742-6596/1400/5/055007
  13. R. Lewandowska, R. Bacewicz, J. Filiopwicz, W. Paszkowicz. Mater. Res. Bull. 36, 2577 (2001). DOI: 10.1016/S0025-5408(01)00746-2
  14. R. Vilaplana, S.G. Parra, A. Jorge-Monterro, P. Rodri guez-Hernandez, A. Munoz, F.J. Manjon. Inorg. Chem. 57, 8241 (2018). DOI: 10.1021/acs.inorgchem.8b00778