Особенности спектров комбинационного рассеяния света слоистых кристаллов 2H-α-In2Se3 различной толщины
Елисеев И.А.
1, Осоченко Г.В.
1, Смирнов А.Н.
1, Давыдов В.Ю.
1, Рахлин М.В.
1, Котова Л.В.
1, Гасникова К.А.
1, Алексеев П.А.
1, Китаев Ю.Э.
11Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: ilya.eliseyev@mail.ioffe.ru, osochenko_2000@mail.ru, alex.smirnov@mail.ioffe.ru, valery.davydov@mail.ioffe.ru, Rakhlin.Maxim@mail.ioffe.ru, Kotova@mail.ioffe.ru, gasponi_li@mail.ru, npoxep@gmail.com, Yu.Kitaev@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 30 апреля 2024 г.
В окончательной редакции: 28 октября 2024 г.
Принята к печати: 30 октября 2024 г.
Выставление онлайн: 19 января 2025 г.
Представлены результаты исследований колебательных свойств слоистых кристаллов α-In2Se3 при изменении количества составляющих их слоев. Совместный анализ данных спектроскопии КРС и атомно-силовой микроскопии с последующим теоретико-групповым анализом колебательных мод позволили установить закономерности изменения параметров спектральных линий в области высоких и сверхнизких (ω<50 cm-1) частот. Впервые показано, что частота высокочастотной линии A1(3) (ω~200 cm-1) может быть использована для оценки толщины α-In2Se3 в диапазоне от семи до нескольких десятков слоев. Ключевые слова: двумерные материалы, селенид индия, спектроскопия КРС, колебательные свойства.
- B. Guo, Q.-I. Xiao, S.-H. Wang, H. Zhang. Laser Photonics Rev. 13, 1800327 (2019). DOI: 10.1002/lpor.201800327
- A.R.-P. Montblach, M. Barbone, I. Ahranovich, M. Atature, A.C. Ferrari. Nat. Nanotechnol. 18, 555 (2023). DOI: 10.1038/s41565-023-01354-x
- Y.-T. Huang, N.-K. Chen, Z.-Z. Li, X.-P. Wang, H.-B. Sun, S. Zhang, X.-B. Li. InfoMat. 4, e12341 (2022). DOI: 10.1002/inf2.12341
- L. Liu, J. Dong, J. Huang, A. Nie, K. Zhai, J. Xiang, B. Wang, F. Wen, C. Mu, Z. Zhao, Y. Gong, Y. Tian, Z. Liu. Chem. Mater. 31, 10143 (2019). DOI: 10.1021/acs.chemmater.9b03499
- J. Li, H. Li, X. Niu, Z. Wang. ACS Nano. 15, 18683 (2021). DOI: 10.1021/acsnano.1c03836
- S. Mukherjee, E. Koren. Isr. J. Chem. 62, e202100112 (2022). DOI: 10.1021/acsnano.1c03836
- Y. Li, M. Gong, H. Zeng. J. Semicond. 40, 061002 (2019). DOI: 10.1088/1674-4926/40/6/061002
- C.K.Y. Tan, W. Fu, K.P Loh. Chem. Rev. 123, 8701 (2023). DOI: 10.1021/acs.chemrev.3c00129
- X. Zhang, X.F. Qiao, W. Shi, J.B. Wu, D.S. Jiang, P.H. Tan. Chem. Soc. Rev. 44, 2757 (2015). DOI: 10.1039/c4cs00282b
- J.-U. Lee, S. Woo, J. Park, H.C. Park, Y.-W. Son, H. Cheong. Nat. Commun. 8, 1370 (2017). DOI: 10.1038/s41467-017-01487-3
- B.R. Borodin, F.A. Benimetsky, V.Yu. Davydov, I.A. Eliseyev, P.A. Alekseev. ACS Appl. Nano Mater. 6, 14, 13148 (2023). DOI: 10.1021/acsanm.3c01883
- V.Yu. Davydov, Yu.E. Kitaev, A.N. Smirnov, I.A. Eliseyev, A.N. Starukhin, P.S. Avdienko, I.V. Sedova, S.V. Sorokin. J. Phys. Conf. Ser. 1400, 055007 (2019). DOI: 10.1088/1742-6596/1400/5/055007
- R. Lewandowska, R. Bacewicz, J. Filiopwicz, W. Paszkowicz. Mater. Res. Bull. 36, 2577 (2001). DOI: 10.1016/S0025-5408(01)00746-2
- R. Vilaplana, S.G. Parra, A. Jorge-Monterro, P. Rodri guez-Hernandez, A. Munoz, F.J. Manjon. Inorg. Chem. 57, 8241 (2018). DOI: 10.1021/acs.inorgchem.8b00778