Вышедшие номера
Одновременная генерация TE0- и TE1-мод с разными длинами волн в полупроводниковом лазерном диоде
Алешкин В.Я., Бирюков А.А., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Некоркин С.М.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: sanya@ipm.sci-nnov.ru
Поступила в редакцию: 3 декабря 2008 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2009 г.

На основе гетероструктуры InGaAs/GaAs/InGaP создан полупроводниковый лазерный диод с оригинальной конструкцией волновода, содержащий две квантовые ямы и генерирующий при температуре жидкого азота одновременно TE0- и TE1-моды с длинами волн 1.05 и 0.9 mum соответственно. PACS: 42.55.Px, 42.65.An, 42.70.Nq, 61.82.Fk, 78.67.De