Получение нанозазоров в пленках электрохимически осажденных металлов методом релаксации напряжений
Солдатов Е.С.1, Овченков Е.А.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Email: esold@phys.msu.ru
Поступила в редакцию: 28 февраля 2008 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2008 г.
Описана методика изготовления системы планарных электродов с зазором порядка 10 nm и менее с помощью электрохимического "заращивания" зазоров 50-100 nm в электродах-заготовках. Методика основана на полном заращивании зазора и последующем образовании разрыва в области смыкания электродов вследствие релаксации напряжения, возникающего при осаждении пленки. PACS: 81.16.-с
- Zhitenev N.B., Jiang W., Erbe A., Baol Z., Garfunkel E., Tennant D.M., and Girelli R.A. // Nanotechnology. 2006. Vol. 17. P. 1272-1277
- Soldatov E.S., Khanin V.V., Trifonov A.S., Gubin S.P., Kolesov V.V., Presnov D.E., Iakovenko S.A., Khomutov G.B. // JETP. Lett. 1996. Vol. 64. P. 556-559
- Krupenin V.A., Presnov D.E., Savvateev M.N. // J. Appl. Phys. 1998. Vol. 84. P. 3212-3215
- Kervennic Y.V., Van der Zant H.S.J., Morpurgo A.F., Gurevich L., and Kouvenhoven L.P. // Appl. Phys. Lett. 2002. Vol. 80. P. 321-323
- Yang C.-S., Zhang C., Redepenning J., Doudin B. // Appl. Phys. Lett. 2004. Vol. 84. P. 2865-2867
- Park H., Lim A.K.L., Alivisatos A.P. // Appl. Phys. Lett. 1999. Vol. 75. P. 301-303
- Hearne S.J., Seel S.C., Floro J.A., Dyck C.W., Fan W., Brueck S.R.J. // J. Appl. Phys. 2005. Vol. 97. P. 083 530
- Chandhari P. // J. Appl. Phys. 1974. Vol. 45. P. 4339-4341
- Heersche H.B., Lientschnig G., O'Neill K., Van der Zant H.S.J., and Zandbergen H.W. // Appl. Phys. Lett. 2007. Vol. 91. P. 072 107
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
