Численно исследованы процессы роста эпитаксиальных слоев GaN в горизонтальном реакторе методом хлоридной эпитаксии. Выполнены расчеты стационарных трехмерных течений газовой смеси в горизонтальном реакторе с учетом гетерогенных реакций на подложке (рост эпитаксиального слоя GaN) и на стенках реактора (осаждение слоев поликристаллического депозита GaN). Дано объяснение экспериментальным данным по распределению скорости роста поликристаллических и эпитаксиальных слоев GaN. Показано, что при недостаточно большом диаметре реактора осаждение депозита на его стенках увеличивает неоднородность распределения скорости роста GaN по подложке из-за паразитного диффузионного ухода реагентов из газовой фазы на стенки реактора. PACS: 81.10.-h

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.