Исследование процесса роста кристаллических слоев GaN в горизонтальном реакторе методом хлоридной эпитаксии
Смирнов С.А., Пантелеев В.Н., Жиляев Ю.В., Родин С.Н., Сегаль А.С., Макаров Ю.Н., Буташин А.В.1
1Институт кристаллографии РАН, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 22 ноября 2007 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2008 г.
Численно исследованы процессы роста эпитаксиальных слоев GaN в горизонтальном реакторе методом хлоридной эпитаксии. Выполнены расчеты стационарных трехмерных течений газовой смеси в горизонтальном реакторе с учетом гетерогенных реакций на подложке (рост эпитаксиального слоя GaN) и на стенках реактора (осаждение слоев поликристаллического депозита GaN). Дано объяснение экспериментальным данным по распределению скорости роста поликристаллических и эпитаксиальных слоев GaN. Показано, что при недостаточно большом диаметре реактора осаждение депозита на его стенках увеличивает неоднородность распределения скорости роста GaN по подложке из-за паразитного диффузионного ухода реагентов из газовой фазы на стенки реактора. PACS: 81.10.-h
- Hemmingsson C., Paskov P.P., Pozina G. et al. // J. Cryst. Growth. 2007. Vol. 300. P. 32--36
- Segal A.S., Kondratyev A.V., Karpov S.Yu. et al. // J. Cryst. Growth. 2004. Vol. 270. P. 384--395
- Кондратьев А.В., Базаревский Д.С., Сегаль А.С. и др. // ЖТФ. 2008. Т. 78. Вып. 7. С. 8--11
- Ban V.S. // J. Electrochem. Soc. 1972. Vol. 119. P. 761--765
- Koukitu A., Hama Sh., Taki T., Seki H. // Jpn. J. Appl. Phys. 1998. Vol. 37. P. 762--765
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
