Эпитаксиальные c-ориентированные пленки Bi₂Te₃ толщиной 1.2 mum выращены методом горячей стенки при низком пересыщении паровой фазы над поверхностью слюдяных подложек. Параметры a=4.386 и c=30.452 Angstrem гексагональной элементарной ячейки выращенных пленок практически совпадали с соответствующими параметрами стехиометрических объемных кристаллов теллурида висмута. При T=100 K холловская концентрация электронов в пленках имела значения порядка 8·10¹⁸ cm^-3, а максимальные значения коэффициента термоэдс (alpha~280 muV · K^-1) наблюдались при температурах порядка 260 K. В условиях примесной проводимости электропроводимость sigma пленок возрастала с уменьшением температуры обратно пропорционально ее квадрату. В интервале температуры 100-200 K параметр термоэлектрической мощности alpha²xsigma пленок Bi₂Te₃ имел значения 80-90 muW · cm^-1· K^-2. PACS: 72.15.Jf, 72.20.Pa

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.