Вышедшие номера
Электрофизические параметры c-ориентированных пленок Bi2Te3 с низкой концентрацией антиструктурных дефектов
Бойков Ю.А.1, Данилов В.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: yu.boikov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 13 марта 2007 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2008 г.

Эпитаксиальные c-ориентированные пленки Bi2Te3 толщиной 1.2 mum выращены методом горячей стенки при низком пересыщении паровой фазы над поверхностью слюдяных подложек. Параметры a=4.386 и c=30.452 Angstrem гексагональной элементарной ячейки выращенных пленок практически совпадали с соответствующими параметрами стехиометрических объемных кристаллов теллурида висмута. При T=100 K холловская концентрация электронов в пленках имела значения порядка 8·1018 cm-3, а максимальные значения коэффициента термоэдс (alpha~280 muV · K-1) наблюдались при температурах порядка 260 K. В условиях примесной проводимости электропроводимость sigma пленок возрастала с уменьшением температуры обратно пропорционально ее квадрату. В интервале температуры 100-200 K параметр термоэлектрической мощности alpha2xsigma пленок Bi2Te3 имел значения 80-90 muW · cm-1· K-2. PACS: 72.15.Jf, 72.20.Pa
  1. Гольцман Б.М., Кудинов В.А., Смирнов И.А. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi-=SUB=-2-=/SUB=-Te-=SUB=-3-=/SUB=-. М.: Наука, 1972. С. 14, 110
  2. Гольцман Б.М., Дашевский З.М., Кайданов В.И., Коломоец Н.В. пленочные термоэлементы: физика и применение. М.: Наука, 1985. С. 170, 174
  3. Venkatasubramanian R., Colpitts T., Watko E., Lamvik M., El-Masry N. // J. Crustal Growth. 1997. Vol. 170. N 1--4. P. 817--821
  4. Бойков Ю.А., Гольцман Б.М., Синенко С.Ф. // ФТТ. 1975. Т. 17. N 10. С. 3086--3087
  5. George J., Bradeep B. Solid State Com. 1985. Vol. 56. N 1. P. 117--120
  6. Lopez-Otero A. // J. Appl. Phys. 1977. Vol. 48. N 1. P. 446--448
  7. Бойков Ю.А., Грибанова О.С., Данилов В.А., Кутасов В.А. // ФТТ. 1991. Т. 33. N 11. С. 3414--3419
  8. Ferhat M., Liautard B., Brun G., Tedenac J.C., Nouaoura M., Lassabatere L. // J. Crustal. Growth. 1996. Vol. 167. N 1--2. P. 122--128
  9. Cho S., Kim Y., DiVenere A., Wong G.K., Ketterson J.B., Meyer J.R. // Appl. Phys. Lett. 1999. Vol. 75. N 10. P. 1401--1403

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.