К теории синтеза стехиометрических пленок бинарных соединений реактивным напылением в магнетроне
Евсюков А.Н.1, Стеценко Б.В.1
1Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Email: evsyukov@iop.kiev.ua
Выставление онлайн: 20 мая 2007 г.
Усовершенствована теоретическая модель реактивного напыления бинарных соединений, которая позволяет вычислять условие их стехиометрии благодаря учету процесса прилипания молекул реагирующего газа на участки поверхности, занятые бинарным соединением, и последующей их диффузии к свободным атомам титана. Показано, что поверхностная диффузия молекул реагирующего газа способствует образованию стехиометрического бинарного соединения, делает процесс напыления устойчивым, увеличивает скорость напыления и приводит к тому, что процесс синтеза бинарного соединения на геттере преобладает над процессом распыления этого соединения с катода. PACS: 85.40.Sz, 85.30.Tv
- Larsson T., Blom H.-O., Neder C., and Berg S. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1988. Vol. 6. N 3. P. 1832--1836
- Berg S., Blom H.-O., Larsson T., and Neder C. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1987. Vol. 5. N 2. P. 202--207
- Владимиров В.В., Горшков В.Н., Мотрич В.А., Панченко О.А., Стеценко Б.В., Скрипник Е.Ф. // ЖТФ. 1994. Т. 64. Вып. 5. С. 91--102
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
