Вышедшие номера
Моделирование профилей распределения индия в квантоворазмерных гетероструктурах InGaAs/GaAs
Акчурин Р.Х., Берлинер Л.Б., Мармалюк А.А.1
1ООО "Сигм Плюс", Москва, Россия
Email: marm@siplus.ru
Поступила в редакцию: 18 июля 2005 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2007 г.

Использован новый подход к описанию явлений, сопровождающих рост тонких эпитаксиальных слоев InGaAs методом гидридной эпитаксии металлоорганических соединений, в основе которого лежит представление приграничного слоя газовой фазы как квазижидкого. Разработана расчетная модель для построения концентрационных профилей компонентов в гетероструктурах с квантовыми ямами, базирующаяся на допущении существования вблизи межфазной границы состояния, близкого к термодинамическому равновесию. Моделирование концентрационных профилей осуществляется совместным решением уравнений, описывающих гетерогенные равновесия, и материального баланса на границе раздела фаз. Представлены результаты моделирования профилей распределения индия в квантоворазмерных гетероструктурах InGaAs/GaAs для варьируемых условий эпитаксиального процесса (температуры, соотношения компонентов в исходной газовой фазе, толщины приграничного слоя). Полученные результаты хорошо согласуются с имеющимися экспериментальными данными. PACS: 81.07.Ta