Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электрические характеристики CdHgTe-фотодиодов для длин волн 1.3 и 1.55 mum

Косяченко Л.А.¹, Кульчинский В.В.¹, Паранчич С.Ю.¹, Склярчук В.М.¹

¹Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина Chernivtsy National University, Chernivtsy, Ukraine

Email: lakos@chv.ukrpack.net

Поступила в редакцию: 18 августа 2005 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2006 г.

PDF версия

Исследованы фоточувствительные в области 1.3 и 1.55 mum поверхностно-барьерные диоды на основе Hg_1-xCd_xTe (x~0.64 и 0.71). Найдены параметры, определяющие фотоэлектрические свойства диодов, - концентрация основных носителей и положение уровня Ферми в подложке, контактный потенциал, ширина области пространственного заряда, эффективное время жизни носителей. Измеренные электрические характеристики при температуре 268-340 K свидетельствуют о генерационно-рекомбинационном механизме переноса заряда, а при повышенных обратных смещениях проявляют себя эффекты сильного электрического поля. PACS: 85.60.Dw

Streetman B.G., Banerjee S. Solid State Electronic Devices. New Jersey: Prentice Hall, 2000
Bahir G., Finkman E.J. // Vac. Sci. Technol. 1989. Vol. A 7 (2). P. 243--248
Brogowski P., Mucha H., Piotrowski J. // Phys. Stat. Sol. A, 1989. Vol. 114. P. K37
Зеегер К. Физика полупроводников. М.: Мир, 1977
Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. М.: Мир, 1973
Hansen G.L., Schmit J.L., Casselman T.N. // J. Appl. Phys. 1982. Vol. 53. N 10. P. 7099--7101
Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984
Sah C., Noyce R., Shockley W. // Proc. IRE. 1957. Vol. 45. P. 1228
Косяченко Л.А., Паранчич С.Ю., Макогоненко В.Н., Склярчук В.М., Склярчук Е.Ф., Герман И.И. // ЖТФ. 2003. Т. 73. Вып. 5. С. 126--129
Девлин С.С. // Физика и химия соединений A^IIB^VI. М.: Мир, 1970. С. 418--464
Turkevych I., Grill R., Frans J., Belas, Hoschl P., and Moravec P. // Semicond. Sc. Techn. 2002. Vol. 17. P. 1064
Косяченко Л.А., Марков А.В., Маслянчук Е.Л., Раренко И.М., Склярчук В.М. // ФТП. 2003. Т. 37. N 12. С. 1420

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель