Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2005, выпуск 11 » Статья стр. 105
<<<>>>
Структура и свойства магниторезистивной керамики, толстой и тонкой пленки La0.6Sr0.3Mn1.1-xFexO3±delta
Пащенко В.П., Ревенко Ю.Ф., Пащенко А.В., Прокопенко В.К., Шемяков А.А., Турченко В.А., Носанов Н.И., Волков В.И., Ищук В.М., Чуканова И.Н., Бажин А.И., Пащенко В.В.1
1Донецкий национальный университет, Донецк, Украина
Email: bazhin@dongu.donetsk.ua
Поступила в редакцию: 26 ноября 2004 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2005 г.
PDF версия
Рентгеноструктурным, ядерно-магнитно-резонансным (ЯМР) 55Mn, резистивным и магнитным методами исследованы магниторезистивные керамические, толстопленочные и тонкопленочные образцы La0.6Sr0.3Mn1.1-xFexO3±delta (x=0 и 0.04). Установлено, что ромбоэдрически искаженная (R3c) перовскитовая структура содержит анионные, катионные вакансии и наноструктурные дефекты кластерного типа. Широкие асимметричные спектры ЯМР 55Mn подтвердили высокочастотный электронно-дырочный обмен между Mn3+ и Mn4+ и неэквивалентность их окружения, обусловленную высокой дефектностью и неоднородностью структуры. Легирование железом и повышение температуры отжига приводит к уменьшению температур фазовых переходов металл-полупроводник, ферро-парамагнетик и увеличению магниторезистивного эффекта. Низкополевой магниторезистивный эффект в низкотемпературной области (~100 K) в керамике и толстой пленке объяснен туннелированием на межкристаллитных границах. Анализ влияния железа и температуры отжига на энергию активации подтвердил вывод о сложном характере дефектности перовскитовой структуры и наличии нескольких механизмов активационных процессов.
  1. Troyanchuk I.O., Trukhanov S.V., Szymczak H. et al. // JETF. 2001. Vol. 120. N 1 (7). P.183--190
  2. Khartsev S.I., Johnsson P., Grishin A.M. // J. Appl. Phys. 2000. Vol. 87. N 5. P. 2394--2399
  3. Mandal P., Ghosh B. // Phys. Rev. B. 2003. Vol. 68. P. 014 422
  4. Волков Н.В., Петраковский Г.А., Васильев В.Н. и др. // ФТТ. 2002. Т. 44. Вып. 7. С. 1290--1294
  5. De Marzi G., Popovic Z.V., Cantarero A. et al. // Phys. Rev. B. 2003. Vol. 68. P. 064 302
  6. Akimoto T., Maruyama Y., Moritomo Y. et al. // Phys. Rev. B. 1998. Vol. 57. P. R5594--R5597
  7. Young Suk Cho, Jion Seok Hwang-Bo, Yeon Hee Kin et al. // JMMM. 2001. Vol. 226--230. P. 754--756
  8. Товстолыткин А.И., Погорелый А.Н., Лемненко И.В. и др. // ФТТ. 2003. Т. 45. Вып. 10. С. 1857--1861
  9. Нагаев Э.Л. // УФН. 1996. Т. 166. N 8. С.833--858
  10. Каган М.Ю., Кугель К.И. // УФН. 2001. Т. 171. N 6. С. 577--596
  11. Sancher M.C., Subias G., Garsia G. et al. // Phys. Rev. Lett. 2003. Vol. 90. P. 045 503-1--045 503-4
  12. Marques R.F.C., Jafelicci J.Z., Paiva-Santos C.O. et al. // JMMM. 2001. Vol. 226--230. P. 812--814
  13. Guo-meng Zhao, Condez K., Keller H. et al. // Phys. Rev. B. 1999. Vol. 60. P.11 914--11 917
  14. Vincent H., Audiez M., Pignard S. et al. // JMMM. 2001. Vol. 226--230. P. 768--790
  15. Кучеренко С.С., Пащенко В.П., Поляков П.И. и др. // ФНТ. 2001. Т. 27. N 7. С. 761--766
  16. Пащенко В.П., Харцев С.И., Черенков О.П. и др. // Неорган. материалы. 1999. Т. 35. N 12. С. 1509--1516
  17. Дьяконов В.П., Пащенко В.П., Зубов Э.Е. и др. // ФТТ. 2003. Т. 45. Вып. 5. С. 870--876
  18. Довгий В.Т., Линник А.И., Пащенко В.П. и др. // Письма ЖТФ. 2003. Т. 29. Вып. 14. С. 81--86
  19. Пащенко В.П., Кучеренко С.С., Поляков П.И. и др. // ФНТ. 2001. Т. 77. N 12. С. 1010--1013
  20. Medvedeva I.V., Barner K., Rao G.H. et al. // Physica B. 2000. Vol. 292. P. 250--256
  21. Пащенко В.П., Прокопенко В.К., Шемяков А.А. и др. // Металлофиз., новейшие технол. 2000. Т. 22. N 12. С. 18--25
  22. Bazela W., Dyakonov V., Pashchenko V. et al. // Phys. Stat. Sol. (b). 2003. Vol. 236. P. 458--461
  23. Zubov E., Dyakonov V.P., Szymczak H. // JETF. 2002. Vol. 95. N 6. P. 1044--1055
  24. Пащенко В.П., Kakazei G., Шемяков А.А. и др. // ФНТ. 2004. Т. 30. N 3--4. С. 403--410
  25. Волков Н.В., Петраковский Г.А., Васильев В.Н. и др. // ФТТ. 2002. Т. 44. Вып. 7. С. 1290--1294
  26. Попов Ю.Ф., Кадомцева А.М., Воробьев Г.П. и др. // ФТТ. 2004. Т. 46. Вып. 7. С. 1214--1216
  27. Chen G.J., Chang Y.H., Hsu H.W. // JMMM. 2000. Vol. 219. P. 317--324
  28. Prokhorov V.G., Kaminsky G.G., Komashko V.A. et al. // Fizika Nazkikh Temperatur. 2003. Vol. 29. N 8. P. 885--888
  29. Ланг И.Г., Фирсов Ю.А. // ЖЭТФ. 1962. Т. 43. Вып. 5 (11). С. 1843--1860
  30. Фирсов Ю.А. // ФТТ. 1963. Т. 5. Вып. 8. С. 2149--2169
  31. Дубинин С.Ф., Архипов В.Е., Теплоухов С.Г. и др. // ФТТ. 2003. Т. 45. Вып. 12. С. 2192--2197
  32. Кугель К.И., Рахманов А.Л., Сбойчаков А.О. и др. / ЖЭТФ. 2004. Т. 125. Вып. 3. С. 648--658
  33. Mott N.F. // Advances in Physics. 2001. Vol. 50. N 7. P. 865--945
  34. Метфессель З., Маттис Д. Магнитные полупроводники. М.: Мир, 1972. 405 с
  35. Coey J.M.D., Virets M., von Molnar S. // Advances in Physics. 1999. Vol. 48. N 2. P. 167--293
  36. Von Molnar S., Methfessel S. // J. Appl. Phys. 1967. Vol. 38. N 3. P. 959--964

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme