Вышедшие номера
Влияние адсорбции на поперечное фотонапряжение в кристаллах иодистого кадмия при рентгеновском возбуждении
Матвиишин И.М.1, Новосад С.С.1, Новосад И.С.1
1Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
Поступила в редакцию: 8 января 2004 г.
Выставление онлайн: 20 января 2005 г.

Приведены результаты исследования влияния газов (O2 и воздуха) на поперечное фотонапряжение (ПФН), возникающее в образцах CdI2 при рентгеновском возбуждении. Проведенные исследования в вакууме при температуре 295 K показали, что ПФН практически линейно возрастает с увеличением мощности экспозиционной дозы рентгеновского излучения (R). Регистрируемая величина ПФН в атмосфере газов имеет противоположное по знаку значение и при увеличении R больше 200 R/min выходит на насыщение. При откачке газа из системы величина ПФН сначала возрастает и после достижения максимального значения резко ослабляется, изменяет знак и достигает исходного значения для величины ПФН в условиях вакуума. На основании анализа полученных результатов и литературных данных показано, что выявленные особенности влияния газов на ПНФ в CdI2 вызваны рентгеностимулированной химической адсорбцией по акцепторному механизму.
  1. Торопов А.Е., Васильев И.А., Нечаев А.Ф. // Радиационно-стимулированные явления в твердых телах. Межвузовский сборник. Свердловск: Изд-во УПИ им. С.М. Кирова, 1979. Вып. 1. С. 54--61
  2. Голованов В.В., Сердюк В.В., Стыс Л.Е. и др. // УФЖ. 1988. Т. 33. N 3. С. 390--395
  3. Бондарь В.Д., Лыскович А.Б., Матвиишин И.М., Харамбура С.Б. // Изв. АН СССР. Неорг. матер. 1990. Т. 26. N 3. С. 660--661
  4. Матвиишин И.М., Бондарь В.Д., Лыскович А.Б. // Вестник Львовского ун-та. Сер. физ. 1990. Вып. 23. С. 27--30
  5. Бондарь В.Д., Лыскович А.Б., Матвиишин И.М., Харамбура С.Б. // Тез. докл. XII Всесоюз. конф. по физике полупроводников. Киев, 1990. Ч. 2. С. 112
  6. Широкозонные слоистые кристаллы и их физические свойства / Под ред. А.Б. Лысковича. Львов: Вища школа, 1982. 148 с
  7. Основы полупроводниковой электроники / Под ред. О.В. Снитко. Киев: Наукова думка, 1985. 302 с
  8. Kostyuk B.M., Lyskovich A.B., Matviishyn I.M., Novosad S.S. // Functional Materials. 2000. Vol. 7. N 2. P. 220--223
  9. Магомедов М.А., Магомедов Х.А., Ризаханов М.А., Гасанбеков Г.М. // Тез. докл. V Всесоюз. совещания "Физика и техническое применение полупроводников". Вильнюс, 1983. Т. I. С. 81--82
  10. Бару В.Г., Волькенштейн Ф.Ф. Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников. М.: Наука, 1978. 288 с
  11. Волькенштейн Ф.Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции. М.: Наука, 1987. 432 с
  12. Соколов В.А., Горбань А.Н. Люминесценция и адсорбция. М.: Наука, 1969. 187 с
  13. Пека Г.П. Физические явления на поверхности полупроводников. Киев: Вища школа, 1984. 214 с
  14. Ахоян А.П., Корсунская Н.Е., Маркевич И.В. // УФЖ. 1988. Т. 33. N 6. С. 827--837

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.