Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние адсорбции на поперечное фотонапряжение в кристаллах иодистого кадмия при рентгеновском возбуждении
1Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина 
Поступила в редакцию: 8 января 2004 г.
Выставление онлайн: 20 января 2005 г.
Приведены результаты исследования влияния газов (O2 и воздуха) на поперечное фотонапряжение (ПФН), возникающее в образцах CdI2 при рентгеновском возбуждении. Проведенные исследования в вакууме при температуре 295 K показали, что ПФН практически линейно возрастает с увеличением мощности экспозиционной дозы рентгеновского излучения (R). Регистрируемая величина ПФН в атмосфере газов имеет противоположное по знаку значение и при увеличении R больше 200 R/min выходит на насыщение. При откачке газа из системы величина ПФН сначала возрастает и после достижения максимального значения резко ослабляется, изменяет знак и достигает исходного значения для величины ПФН в условиях вакуума. На основании анализа полученных результатов и литературных данных показано, что выявленные особенности влияния газов на ПНФ в CdI2 вызваны рентгеностимулированной химической адсорбцией по акцепторному механизму.
- Торопов А.Е., Васильев И.А., Нечаев А.Ф. // Радиационно-стимулированные явления в твердых телах. Межвузовский сборник. Свердловск: Изд-во УПИ им. С.М. Кирова, 1979. Вып. 1. С. 54--61
- Голованов В.В., Сердюк В.В., Стыс Л.Е. и др. // УФЖ. 1988. Т. 33. N 3. С. 390--395
- Бондарь В.Д., Лыскович А.Б., Матвиишин И.М., Харамбура С.Б. // Изв. АН СССР. Неорг. матер. 1990. Т. 26. N 3. С. 660--661
- Матвиишин И.М., Бондарь В.Д., Лыскович А.Б. // Вестник Львовского ун-та. Сер. физ. 1990. Вып. 23. С. 27--30
- Бондарь В.Д., Лыскович А.Б., Матвиишин И.М., Харамбура С.Б. // Тез. докл. XII Всесоюз. конф. по физике полупроводников. Киев, 1990. Ч. 2. С. 112
- Широкозонные слоистые кристаллы и их физические свойства / Под ред. А.Б. Лысковича. Львов: Вища школа, 1982. 148 с
- Основы полупроводниковой электроники / Под ред. О.В. Снитко. Киев: Наукова думка, 1985. 302 с
- Kostyuk B.M., Lyskovich A.B., Matviishyn I.M., Novosad S.S. // Functional Materials. 2000. Vol. 7. N 2. P. 220--223
- Магомедов М.А., Магомедов Х.А., Ризаханов М.А., Гасанбеков Г.М. // Тез. докл. V Всесоюз. совещания "Физика и техническое применение полупроводников". Вильнюс, 1983. Т. I. С. 81--82
- Бару В.Г., Волькенштейн Ф.Ф. Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников. М.: Наука, 1978. 288 с
- Волькенштейн Ф.Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции. М.: Наука, 1987. 432 с
- Соколов В.А., Горбань А.Н. Люминесценция и адсорбция. М.: Наука, 1969. 187 с
- Пека Г.П. Физические явления на поверхности полупроводников. Киев: Вища школа, 1984. 214 с
- Ахоян А.П., Корсунская Н.Е., Маркевич И.В. // УФЖ. 1988. Т. 33. N 6. С. 827--837
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
