Выращивание и фотоэлектрические свойства варизонных гетероструктур Si-(Si2)1-x(GaP)x
Сапаев Б.1, Саидов А.С.1, Дадамухамедов С.1
1Физико-технический институт Научно-производственное объединение "Физика
Поступила в редакцию: 9 февраля 2004 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2004 г.
Приводятся теоретические предпосылки образования непрерывных твердых растворов замещения с позиции учета обобщенных моментов, разности валентности и ковалентных радиусов исходных компонентов. На основе этих исследований разработана технология получения из оловянного раствора-расплава методом принудительного охлаждения эпитаксиальных слоев (Si2)1-x(GaP)x (0=< x=<1) на кремниевых подложках. Исследованы распределение компонентов по толщине (Si2)1-x(GaP)x слоев, фоточувствительность и вольт-амперные характеристики гетероструктур Si-(Si2)1-x(GaP)x. Анализ результатов рентгеновских исследований и фотоэлектрических свойств полученных эпитаксиальных слоев твердых растворов указывают на структурное совершенство выращенных варизонных (Si2)1-x(GaP)x слоев.
- Саидов М.С. // Гелиотехника. 1997. N 5--6. С. 57--67
- Алферов Ж.И., Жингарев М.З., Конников С.Г. и др. // ФТП. 1982. Т. 16. N 5. С. 831--839
- Саидов А.С., Кошчанов Э.А., Сапаев Б. и др. // ДАН УзССР. 1988. N 2. С. 26--27
- Саидов А.С., Кутлимратов А., Сапаев Б. и др. // Вести ГУЛГУ. 2001. N 2. С. 40--44
- Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников. М.: Металлургия, 1985. 159 с
- Riben A.K., Feucht B.L., Oldham W.G. // J. Electrohem. Soc. 1966. Vol. 113. P. 245
- Howel H.J., Milnes A.G. // J. Electrohem Soc. 1969. Vol. 116. P. 843
- Милнс А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник. М.: Мир, 1975. 432 с
- Устинов В.М., Захаров Б.Г. // Обзоры по электронной технике. Сер. 6. Материалы. 1977. Вып. 4
- Шарма Б.Л., Пурохит Р.К. Полупроводниковые гетеропереходы. М.: Сов. радио, 1979. 233 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук