Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Выращивание и фотоэлектрические свойства варизонных гетероструктур Si-(Si₂)_1-x(GaP)_x

Сапаев Б.¹, Саидов А.С.¹, Дадамухамедов С.¹

¹Физико-технический институт Научно-производственное объединение "Физика

Поступила в редакцию: 9 февраля 2004 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2004 г.

PDF версия

Приводятся теоретические предпосылки образования непрерывных твердых растворов замещения с позиции учета обобщенных моментов, разности валентности и ковалентных радиусов исходных компонентов. На основе этих исследований разработана технология получения из оловянного раствора-расплава методом принудительного охлаждения эпитаксиальных слоев (Si₂)_1-x(GaP)_x (0=< x=<1) на кремниевых подложках. Исследованы распределение компонентов по толщине (Si₂)_1-x(GaP)_x слоев, фоточувствительность и вольт-амперные характеристики гетероструктур Si-(Si₂)_1-x(GaP)_x. Анализ результатов рентгеновских исследований и фотоэлектрических свойств полученных эпитаксиальных слоев твердых растворов указывают на структурное совершенство выращенных варизонных (Si₂)_1-x(GaP)_x слоев.

Саидов М.С. // Гелиотехника. 1997. N 5--6. С. 57--67
Алферов Ж.И., Жингарев М.З., Конников С.Г. и др. // ФТП. 1982. Т. 16. N 5. С. 831--839
Саидов А.С., Кошчанов Э.А., Сапаев Б. и др. // ДАН УзССР. 1988. N 2. С. 26--27
Саидов А.С., Кутлимратов А., Сапаев Б. и др. // Вести ГУЛГУ. 2001. N 2. С. 40--44
Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников. М.: Металлургия, 1985. 159 с
Riben A.K., Feucht B.L., Oldham W.G. // J. Electrohem. Soc. 1966. Vol. 113. P. 245
Howel H.J., Milnes A.G. // J. Electrohem Soc. 1969. Vol. 116. P. 843
Милнс А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник. М.: Мир, 1975. 432 с
Устинов В.М., Захаров Б.Г. // Обзоры по электронной технике. Сер. 6. Материалы. 1977. Вып. 4
Шарма Б.Л., Пурохит Р.К. Полупроводниковые гетеропереходы. М.: Сов. радио, 1979. 233 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель