Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2004, выпуск 9 » Статья стр. 77
<<<>>>
Теоретические принципы работы полупроводникового детектора, основанного на p-n-переходе
Бакалейников Л.А.1, Флегонтова Е.Ю.1, Погребицкий К.Ю.1, Еремин И.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: fl.xiees@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 25 февраля 2004 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2004 г.
PDF версия
Проведен расчет собранного заряда, возникающего в полупроводниковом детекторе p+-n-n+-типа при взаимодействии с моноэнергетическим пучком электронов при энергиях в диапазоне 7-25 keV. Генерация электронно-дырочных пар (ЭДП) рассчитана на основе метода Монте-Карло. В рамках диффузионно-дрейфовой модели получено аналитическое выражение для вклада генерированных ЭДП в регистрируемый сигнал. Показано, что потери заряда на рекомбинацию в процессе транспорта заметно влияют на форму детектируемого сигнала. Сравнение моделированных энергетических спектров с экспериментально измеренными демонстрирует хорошее совпадение результатов. Таким образом, развиты основы теоретического подхода, позволяющего рассчитывать рабочие характеристики полупроводниковых детекторов, и на основе этого проводить оптимизацию их параметров в процессе разработки практически важных полупроводниковых пропорциональных детекторов (ППД) для нужд аналитических методов.
  1. Koningsberger D.C., Prins R. X-ray Absorption: Principles, Applications, Techniques of EXAFS, SEXAFS and XANES. John Wiley \& Sons, 1988. 688 p
  2. Briggs D., Seah M.P. Practical Surface Analysis: Auger and X-ray Photoelectron Spectroscopy. John Wiley \& Sons, 1990. 674 p
  3. Ковальчук М.В., Кон В.Г. // УФН. 1986. Т. 149. Вып. 1
  4. Амусья М.Я. Атомный фотоэффект. М.: Наука, 1987. 272 с
  5. Вудраф Д., Делчар Т. Современные методы исследования поверхности. М.: Мир, 1989. 568 с
  6. Нефедов В.И., Черепин В.Т. Физические методы исследования поверхности твердого тела. М.: Наука, 1983. 296 с
  7. Страница группы электронной эмиссии, возбуждаемой рентгеновским излучением. http:/www.ioffe.ru/XIEES/
  8. Акимов Ю.К., Игнатьев О.В., Калинин А.И. Полупроводниковые детекторы в экспериментальной физике. М.: Энергоатом интас, 1989. 433 с
  9. 9th European Simposium on Semiconductor Detertors. Schloss Elmau, 2002. http:/www.hll.mpg.de/elmau/main.html
  10. Еремин И.В., Конников С.Г., Погребицкий К.Ю. // ПЖТФ. 2003. Т. 29. Вып. 24. С. 27--34
  11. Бакалейников Л.А., Флегонтова Е.Ю., Погребицкий К.Ю. и др. // ЖТФ. 2001. Т. 71. Вып. 7. С. 14--20
  12. Пайнс Д. Элементарные возбуждения в твердых телах: М.: Мир, 1965. 382 с
  13. Fundamental Studies of the Interactions of kV Electrons with Solids for Applications to Electron Spectroscopies. PHD Thesis. Osaka University, 1990. 219 p
  14. Palik E.D. Handbook of Optical Constants of Solids II. New York: Academic Press, 1991. 1086 p
  15. Флегонтова Е.Ю., Бакалейников Л.А., Погребицкий К.Ю. и др. // ЖТФ. 2000. Т. 70. Вып. 12. С. 6--11
  16. Электронный архив http:/www.ioffe.rssi.ru/ES
  17. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1977. 672 с
  18. Пикус Г.Е. Основы теории полупроводниковых приборов. М.: Наука, 1965. 444 с
  19. Резников Б.И., Царенков Г.В. // ФТП. 1991. Т. 25. Вып. 11. С. 1922--1933

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme