Исследование свойств фотовольтаических детекторов рентгеновского излучения на основе эпитаксиальных структур GaAs
Дворянкин В.Ф.1, Дикаев Ю.М.1, Кудряшов А.А.1
1Институт радиотехики и электроники РАН, Фрязинское отделение, Фрязино Московской области, Россия
Email: vfd217@ire216.msk.su
Поступила в редакцию: 23 июля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2004 г.
Представлены результаты исследования под действием тормозного рентгеновского излучения нового фотовольтаического детектора на основе эпитаксиальных структур GaAs, работающего без напряжения смещения и при комнатной температуре. Из измерений фотоотклика детектора рассчитана эффективность преобразования поглощенной энергии в ток короткого замыкания в диапазоне энергий фотонов от 12 до 120 keV. В этом диапазоне энергий процесс поглощения в GaAs определяется фотоэлектрическим эффектом. Максимальное значение эффективности преобразования в GaAs для тормозного рентгеновского излучения находится при энергии 80 keV. Для увеличения поглощения рентгеновских фотонов предложена и рассчитана схема наклонного облучения тонкого 50 mum детектора. При этом значительный эффект проявляется для жесткого рентгеновского излучения.
- Ахмадуллин Р.А., Дворянкин В.Ф., Дворянкина Г.Г. и др. // Письма в ЖТФ. 2002. Т. 26. Вып. 1. С. 34--38
- Немец О.Ф., Гофман Ю.В. Справочник по ядерной физике. Киев: Наукова думка, 1975. 218 с
- Дворянкин В.Ф., Дикаев Ю.М., Кудряшов А.А. и др. // Измерительная техника. 2003
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук