Механизмы протекания тока в структурах металл/p-CuInSe2
Горлей П.Н., Ковалюк З.Д., Орлецкий В.Б., Сидор О.Н., Нетяга В.В., Хомяк В.В.1
1Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
Email: semicon@chnu.cv.ua
Поступила в редакцию: 21 октября 2003 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2004 г.
Барьеры Шоттки изготовлены путем термического напыления индия на монокристаллы CuInSe2 p-типа. Обсуждаются температурные зависимости вольт-амперных характеристик и механизмы прохождения тока в исследуемых диодах. Показано, что полученные на поверхностно-барьерных структурах довольно высокие и воспроизводимые результаты таких основных параметров, как напряжение холостого хода и ток короткого замыкания, при довольно простой и дешевой технологии изготовления этих структур свидетельствуют о перспективности данного направления для фотопреобразования солнечного излучения.
- Schock H.W. // Solar Energy Materials \& Solar Cells. 1994. Vol. 34. P. 19--26
- Gay C.F., Potter R.R., Tanner D.P. et al. // Proc. 17th IEEE Photovoltaic Specialists Conf. 1984. P. 151--152
- Магомедов М.А., Прочухан В.Д., Рудь Ю.В. // ФТП. 1992. Т. 26. Вып. 11. С. 1996--2000
- Hernandez E. // Cryst. Res. Tech. 1998. Vol. 33. N 2. P. 285--289.
- Ламперт Г., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М.: Мир, 1973. 416 с
- Drapak S.I., Kovalyuk Z.D., Netyaga V.V. et al. // Proc. Intern. Conf. "Science for Materials in the Frontier of Centuries: Advantages and Challenges". Ukraine, 2002. P. 129--130
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
