Вышедшие номера
Электронная структура нейтрального примесного комплекса кремний--вакансия в алмазе
Моливер С.С.1
1Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
Email: moliver@sv.uven.ru
Поступила в редакцию: 24 апреля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2003 г.

Квантово-химическим методом открытой электронной оболочки с параметризацией INDO рассчитана модель квазимолекулярной расширенной ячейки для примесного комплекса [Si-V]0 в алмазе. Показано, что основное спин-триплетное состояние комплекса подвержено туннельному (не ян-теллеровскому) расщеплению, связанному с нецентральным сдвигом атома Si вдоль тригональной оси полносимметричной атомной конфигурации D3d. Поэтому комплекс, являясь источником электронного парамагнитного резонанса KUL1S=1, может оказаться и известным оптическим 1.68-eV центром с характерным ~ meV расщеплением бесфононной линии. Внутрицентровое оптическое возбуждение происходит с заполненного орбитального дублета, локализованного на Si, на орбитальный дублет, локализованный на трех из шести соседних к Si атомах углерода, и имеет мультиплетную структуру.