Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние адсорбции паров воды на вольт-фарадные характеристики гетероструктур с пористым кремнием
Тутов Е.А.1, Бормонтов Е.Н.1, Кашкаров В.М.1, Павленко М.Н.1, Домашевская Э.П.1
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия 
Email: phssd2@main.vsu.ru
Поступила в редакцию: 11 февраля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2003 г.
Пористый кремния (por-Si) получен электрохимическим травлением монокристаллического кремния n-типа проводимости в водно-спиртовом растворе плавиковой кислоты в присутствии пероксида водорода в качестве окислителя. Исследована зависимость высокочастотных вольт-фарадных характеристик гетероструктур Al/por-Si/Si от относительной влажности. Предложены модель конденсаторной структуры и методика анализа зависимости ее емкости от парциального давления паров воды как изотермы адсорбции, в рамках которых определены пористость, эффективная доля фазы диоксида кремния в por-Si, степень связности пор, отношение объемов микро- и мезопор и распределение последних по размерам. Пористый кремний с определенными в работе параметрами может быть использован в качестве чувствительного слоя в сенсорах влажности емкостного типа.
- Подлепецкий Б.И., Симаков А.В. // ЗЭТ. 1987. N 2. C. 64--97.
- Jung K.H., Shih S., Kwong D.L. // J. Electrochem. Soc. 1993. Vol. 140. N 10. P. 3046--3064
- Properties of porous silicon / Ed. L. Canham // IEE, London. EMIS Datareviews series. 1997. N 18. 400 p
- Демидович В.М., Демидович Г.Б., Добренкова Е.И., Козлов С.Н. // Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. Вып. 14. С. 57--59
- Демидович В.М., Демидович Г.Б., Козлов С.Н., Лунга С.П., Петров А.А. // Вестн. МГУ. Сер. 3. Физика. Астрономия. 1996. N 4. C. 99--102
- Ковалевский А.А., Баранов И.Л. // Микроэлектроника. 1996. Т. 25. Вып. 4. С. 298--302
- Anderson R.C., Muller R.S., Tobias C.W. // Sensors and Actuators A. 1990. Vol. 23. N 1--3. P. 835--839
- Taliercio T., Dilhan M., Massau E., Gue A.M., Foucaran A. // Sensors and Actuators A. 1995. Vol. 46. N 1--3. P. 43--46
- Плаченов Т.Г., Колосенцев С.Д. Порометрия. Химия. Л., 1988. 174 с
- Черемской П.Г. Методы исследования пористости твердых тел. М.: Энергоатомиздат, 1985. 260 с
- Петрова В.В. Микропористость анодных оксидных пленок алюминия. Петрозаводск: Изд-во ун-та, 1992
- McClellan A.L., Harnsberger H.E. // J. Colloid. Interface Sci. 1967. Vol. 23. P. 577
- Mясников И.А., Сухарев В.Я., Куприянов Л.Ю., Завьялов С.А. Полупроводниковые сенсоры в физико-химических исследованиях. М.: Наука, 1991. 327 с
- Александров Л.Н., Новиков П.Л. // Письма в ЖЭТФ. 1997. Т. 65. Вып. 9. С. 685--690
- Бучин Э.Ю., Постников А.В., Проказников А.В., Световой В.Б., Чурилов А.Б. // Письма в ЖТФ. 1995. Т. 21. Вып. 1. С. 60--65
- Domashevskaya E.P., Kashkarov V.M., Manukovskii E.Yu., Schukarev A.V., Terekhov V.A. // J. Electron. Spectroscopy and Related Phen. 1998. Vol. 88--91. P. 958--962
- Беляков Л.В., Макарова Т.Л., Сахаров В.И. // ФТП. 1998. Т. 32. N 9. C. 1122--1124
- Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. Кн. 1. Пер. с англ. / Под ред. Р.А. Суриса. М.: Мир, 1984. 456 с
- Грег С., Синг К. Адсорбция, удельная поверхность, пористость. М.: Мир, 1984. 304 с
- Бормонтов Е.Н., Головин С.В. // Изв. вузов. Электроника. 1998. N 4. C. 95--100
- Виглеб Г. Датчики. М.: Мир, 1989. 196 с
- Тутов Е.А., Андрюков А.Ю., Рябцев С.В. // Письма в ЖТФ. 2000. Т. 26. Вып. 17. С. 53--58
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
