Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2003, выпуск 6 » Статья стр. 103
<<<>>>
Анализ параметрического взаимодействия волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах асимметричного типа на основе арсенида галлия n-типа
Барыбин А.А., Михайлов А.И.1
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Email: barybin@scientist.com
Поступила в редакцию: 10 июля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2003 г.
PDF версия
На основе общей теории, ранее разработанной авторами, проведен анализ параметрического взаимодействия волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах с отрицательной дифференциальной проводимостью в приближении жесткой границы дрейфового потока носителей заряда при условии, что частота низкочастотной накачки равна граничной частоте fc усиливаемых волн (в рассматриваемом случае fc около 30 GHz). Для структур асимметричного типа общая многомодовая система связанных уравнений сведена к двум дифференциальным уравнениям относительно амплитуд возбуждения основной моды волн пространственного заряда на частоте сигнала omegas и холостой частоте omegai=omegas-omegap. Полученные уравнения численно решены на основе арсенида галлия n-типа. Приводятся результаты анализа полученного решения.
  1. Барыбин А.А. и др. // Микроэлектроника. 1979. Т. 8. Вып. 1. С. 3--19
  2. Дин Р., Матарезе Р. // ТИИЭР. 1972. Т. 60. N 12. С. 23--43
  3. Kumabe K., Kanbe H. // Int. J. Electronics. 1985. Vol. 58. N 4. P.587--611
  4. Михайлов А.И., Сергеев С.А. // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1995. Т. 38. N 10. С. 43--51
  5. Гуревич Г.Л., Китаев М.А., Коган А.Л., Рыжова Е.И. // РиЭ. 1988. Т. 33. Вып. 6. С. 1272--1278
  6. Китаев М.А., Коган А.Л., Пиковская М.Л., Рыжова Е.И. // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1990. Вып. 2 (426). С. 14--18
  7. Михайлов А.И., Сергеев С.А. // Письма в ЖТФ. 1996. Т. 22. Вып. 24. С. 75--78
  8. Михайлов А.И., Сергеев С.А., Игнатьев Ю.М. Свидетельство на полезную модель 9351 РФ, МКИ 6 H 03D 7/00. N 98117279. БИ. 1999. N 2
  9. Михайлов А.И., Сергеев С.А., Игнатьев Ю.М. Патент 2138116 РФ, МКИ H 03 D 7/00, 7/12, H 01 L 27/095. N 98116381/09. БИ. 1999. N 26
  10. Михайлов А.И., Сергеев С.А., Горячев А.А. // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 2000. Т. 43. N 2. С. 16--24
  11. Михайлов А.И. // Письма в ЖТФ. 2000. Т. 26. Вып. 5. С. 80--85
  12. Барыбин А.А., Михайлов А.И. // Материалы Всероссийской межвузовской конф. "Современные проблемы электроники и радиофизики СВЧ". Саратов: Изд-во ГосУНЦ "Колледж", 1997. С. 109--110
  13. Барыбин А.А., Михайлов А.И. // ЖТФ. 2000. Т. 70. Вып. 2. С. 48--52
  14. Барыбин А.А., Михайлов А.И., Клецов А.А. // Электродинам. и техн. СВЧ и КВЧ. 1999. Т. 7. N 2. С. 88
  15. Барыбин А.А. Волны в тонкопленочных полупроводниковых структурах с горячими электронами. М.: Наука, 1986. 288 с
  16. Михайлов А.И. // Письма в ЖТФ. 1995. Т. 21. Вып. 21. С. 89--95
  17. Михайлов А.И., Сергеев С.А. // Письма в ЖТФ. 1999. Т. 25. Вып. 4. С. 85--90
  18. Камке Э. Справочник по обыкновенным дифференциальным уравнениям / Пер. с нем. 5-е изд. М.: Наука, 1976. 576 с
  19. Гуревич Г.Л., Коган А.Л., Коробков Г.М. // РиЭ. 1984. Т. 29. Вып. 2. С. 333---340
  20. Люиселл У. Связанные и параметрические колебания в электронике: Пер. с англ. / Под ред. А.Н. Выставкина. М.: ИЛ, 1963. 352 с
  21. Барыбин А.А., Степанова М.Г. // Изв. ЛЭТИ. 1991. Вып. 437. С. 61--64
  22. Rees H.D. // Sol. St. Commun. 1969. Vol. 7. N 2. P. 267--269

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme