Вышедшие номера
Формирование слоев кубического карбида кремния на кремнии непрерывными и импульсными пучками ионов углерода
Баязитов Р.М.1, Хайбуллин И.Б.1, Баталов Р.И.1, Нурутдинов Р.М.1
1Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского, ФИЦ Казанский научный центр РАН, Казань, Россия
Email: bayaz@kfti.knc.ru
Поступила в редакцию: 5 ноября 2002 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2003 г.

Исследована структура и инфракрасное поглощение в слоях кубического карбида кремния (beta-SiC), сформированных путем непрерывной высокодозной имплантации ионов углерода (C+) в кремний (E=40 keV, D=5·1017 cm-2) с последующей обработкой имплантированных слоев мощным наносекундным импульсным ионным пуском (С+, tau=50 ns, E=300 keV, W=1.0-1.5 J/cm2). Просвечивающая электронная микроскопия и электронная дифракция свидетельствуют о формировании крупнозернистого поликристаллического слоя beta-SiC с размером зерна до 100 nm. Характерной особенностью сформированных слоев является дендритная поверхностная морфология, что объясняется кристаллизацией из расплава, сильно переохлажденного относительно точки плавления beta-SiC.