Квантовый выход и светоотдача тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка
Гурин Н.Т.1, Шляпин А.В.1, Сабитов О.Ю.1
1Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
Email: soy@sv.uven.ru
Выставление онлайн: 19 марта 2003 г.
Представлены результаты экспериментального исследования процессов формирования зависимостей мгновенных значений внутреннего квантового выхода и светоотдачи тонкопленочных электролюминесцентных излучателей от времени, среднего поля в слое люминофора и заряда, протекающего через этот слой, а также формировния зависимостей внутреннего квантового выхода и светоотдачи от амплитуды напряжения возбуждения. Показано, что при увеличении частоты этого напряжения выше 10 Hz на участке роста яркости и тока через слой люминофора на зависимостях мгновенных значений квантового выхода и светоотдачи от времени появляется провал, а на участке спада яркости и тока - пик, обусловленные различием скоростей нарастания и спада яркости и тока.
- Гурин Н.Т., Сабитов О.Ю., Шляпин А.В. // ЖТФ. 2002. Т. 72. Вып. 2. С. 74--83
- Гурин Н.Т., Сабитов О.Ю., Шляпин А.В. // ЖТФ. 2001. Т. 71. Вып. 8. С. 48--58
- Гурин Н.Т. // ЖТФ. 1996. Т. 66. Вып. 5. С. 77--85
- Гурин Н.Т., Шляпин А.В., Сабитов О.Ю. // Письма в ЖТФ. 2001. Т. 27. Вып. 22. С. 52--57
- Электролюминесцентные источники света / Под ред. И.К. Верещагина. М.: Энергоатомиздат, 1990. 168 с
- Гурин Н.Т., Сабитов О.Ю., Шляпин А.В., Юденков А.В. // Письма в ЖТФ. 2001. Т. 27. Вып. 4. С. 12--18
- Поликристаллические полупроводники. Физические свойства и применение / Под ред. Г. Харбеке. М.: Мир, 1989. 344 с
- Xian H., Benalloul P., Berthou C. et al. // Jap. J. Appl. Phys. 1994. Vol. 33. P. 5801--5806
- De Visschere P., Neyts K., Corlatan D. et al. // J. Luminescense. 1995. Vol. 65. P. 211--219
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
