Вышедшие номера
Влияние фотовозбуждения на электрические характеристики тонкопленочных электролюминесцентных структур на основе ZnS : Mn
Гурин Н.Т.1, Шляпин А.В.1, Сабитов О.Ю.1, Рябов Д.В.1
1Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
Email: soy@sv.uven.ru
Поступила в редакцию: 29 июля 2002 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2003 г.

Обнаружены существенные отличия кинетики тока и заряда, протекающих через тонкопленочный электролюминесцентный излучатель, и вида вольт-амперных характеристик излучателей при импульсной засветке в синей, красной и инфракрасной областях спектра с энергиями фотонов ~ 2.6, ~ 1.9 и ~ 1.3 eV и плотностью потока фотонов (4· 1014-3· 1015) mm-2 · s-1. Полученные результаты свидетельствуют о перезарядке в процессе работы излучателей глубоких центров, обусловленных, по-видимому, вакансиями цинка V2-Zn и серы V+ S, V2+ S, расположенных выше валентной зоны соответственно на ~ 1.1, =<q 1.9 и =<q 1.3 eV. Дана оценка концентрации центров V2-Zn, V+ S~ 3-4· 1016 cm-3, V2+ S~ 1.5· 1016 cm-3. Показано, что образующиеся в прианодной и прикатодной областях слоя люминофора положительные и отрицательные объемные заряды определяют электрические характеристики излучателей.