Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Диффузионная модель деградационной стойкости гетерогенной фотопроводящей системы
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия 
Email: semiconductor@sgu.ssu.runnet.ru
Поступила в редакцию: 14 мая 2002 г.
Выставление онлайн: 20 января 2003 г.
Показано, что в гетерогенных полупроводниковых материалах возбуждение электронной подсистемы приводит к геттерированию (аккумуляции) дефектов в областях с малым коэффициентом их диффузии. Это связано с тем, что широкозонная (рабочая) область материала приобретает повышенный коэффициент диффузии, а в узкозонной (области стоков) он остается низким. Рассматриваемое явление приводит к повышению радиационной стойкости гетерогенного материала. Полученный результат проиллюстрирован на примере системы CdS-PbS, образующей ограниченный ряд твердых растворов.
- Korsunshaya N.E., Markevich I.V., Dzhumaev B.R. et al // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. 1999. Vol. 2. N 1. P. 42--46
- Заманов Э.Н., Джафаров М.А. // ФТП. 1995. Т. 29. Вып. 8. С. 1411--1415
- Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М.: Наука, 1981. 351 с
- Юнусов М.С., Абдурахманова С.Н., Зайцовская М.А. и др. Подпороговые радиационные эффекты в полупроводниках. Ташкент: Фан, 1989. 222 с
- Винецкий В.Л., Холодарь Г.А. Статистическое взаимодействие электронов и дефектов в полупроводниках. Киев: Наукова думка, 1969. 188 с
- Роках А.Г., Стецюра С.В., Трофимова Н.Б. и др. // Неорган. материалы. 1999. Т. 35. N 5. С. 552--555
- Роках А.Г. // ПЖТФ. 1984. Т. 10. Вып. 13. С. 820--823
- Бухаров В.Э., Роках А.Г., Стецюра С.В. // ПЖТФ. 1999. Т. 25. Вып. 3. С. 66--72
- Бухаров В.Э., Роках А.Г. // ПЖТФ. 1999. Т. 25. Вып. 24. С. 55--60
- Роках А.Г., Трофимова Н.Б. // ЖТФ. 2001. Т. 71. Вып. 7. С. 140--142
- Винецкий В.Л., Чайка Г.Е. // ФТТ. 1982. Т. 24. Вып. 7. С. 2170--2176
- Мак В.Т. // ЖТФ. 1993. Т. 63. Вып. 3. С. 173--176
- Степанов В.А. // ЖТФ. 1998. Т. 68. Вып. 8. С. 67--72
- Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Л.: Наука, 1972. 384 с
- Вудбери Х.Х. // Физика и химия соединений AIIBVI. Пер. с англ. / Под ред. С.А. Медведева. М.: Мир, 1970. С. 178--208
- Роках А.Г., Кумаков А.В., Елагина Н.В. Состав для изготовления пленочных фоторезисторов. Патент РФ. N 845685. 1993. Б.И. 1993. N 25
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
