Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4 5 6
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Диффузионная модель деградационной стойкости гетерогенной фотопроводящей системы

Бухаров В.Э.¹, Роках А.Г.¹, Стецюра С.В.¹

¹Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия Saratov State University, Saratov, Russia

Saratov State University, Saratov, Russia

Email: semiconductor@sgu.ssu.runnet.ru

Поступила в редакцию: 14 мая 2002 г.

Выставление онлайн: 20 января 2003 г.

PDF версия

Показано, что в гетерогенных полупроводниковых материалах возбуждение электронной подсистемы приводит к геттерированию (аккумуляции) дефектов в областях с малым коэффициентом их диффузии. Это связано с тем, что широкозонная (рабочая) область материала приобретает повышенный коэффициент диффузии, а в узкозонной (области стоков) он остается низким. Рассматриваемое явление приводит к повышению радиационной стойкости гетерогенного материала. Полученный результат проиллюстрирован на примере системы CdS-PbS, образующей ограниченный ряд твердых растворов.

Korsunshaya N.E., Markevich I.V., Dzhumaev B.R. et al // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. 1999. Vol. 2. N 1. P. 42--46
Заманов Э.Н., Джафаров М.А. // ФТП. 1995. Т. 29. Вып. 8. С. 1411--1415
Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М.: Наука, 1981. 351 с
Юнусов М.С., Абдурахманова С.Н., Зайцовская М.А. и др. Подпороговые радиационные эффекты в полупроводниках. Ташкент: Фан, 1989. 222 с
Винецкий В.Л., Холодарь Г.А. Статистическое взаимодействие электронов и дефектов в полупроводниках. Киев: Наукова думка, 1969. 188 с
Роках А.Г., Стецюра С.В., Трофимова Н.Б. и др. // Неорган. материалы. 1999. Т. 35. N 5. С. 552--555
Роках А.Г. // ПЖТФ. 1984. Т. 10. Вып. 13. С. 820--823
Бухаров В.Э., Роках А.Г., Стецюра С.В. // ПЖТФ. 1999. Т. 25. Вып. 3. С. 66--72
Бухаров В.Э., Роках А.Г. // ПЖТФ. 1999. Т. 25. Вып. 24. С. 55--60
Роках А.Г., Трофимова Н.Б. // ЖТФ. 2001. Т. 71. Вып. 7. С. 140--142
Винецкий В.Л., Чайка Г.Е. // ФТТ. 1982. Т. 24. Вып. 7. С. 2170--2176
Мак В.Т. // ЖТФ. 1993. Т. 63. Вып. 3. С. 173--176
Степанов В.А. // ЖТФ. 1998. Т. 68. Вып. 8. С. 67--72
Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Л.: Наука, 1972. 384 с
Вудбери Х.Х. // Физика и химия соединений A^IIB^VI. Пер. с англ. / Под ред. С.А. Медведева. М.: Мир, 1970. С. 178--208
Роках А.Г., Кумаков А.В., Елагина Н.В. Состав для изготовления пленочных фоторезисторов. Патент РФ. N 845685. 1993. Б.И. 1993. N 25

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель