Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2003, выпуск 2 » Статья стр. 87
<<<>>>
Влияние водорода на фотоэлектрические свойства диодов Шоттки палладий/анодный окисел/арсенид галлия
Тихов С.В.1, Шоболов Е.Л.1, Подольский В.В.1, Левичев С.Б.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: fdp@phys.unn.ru
Поступила в редакцию: 24 апреля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 января 2003 г.
PDF версия
Исследовано влияние водорода на фотоэдс и вольт-амперные характеристики диодов Шоттки палладий/анодный окисел/арсенид галлия. Определены оптимальные значения толщины окисла, при которой диоды имели высокую чувствительность к водороду, и глубина проникновения атомарного водорода в окисел. Установлен механизм воздействия водорода, заключающийся в хемасорбции атомарного водорода на поверхности арсенида галлия, что приводит к уменьшению высоты барьера и увеличению рекомбинационной составляющей тока. Показана неоднородность пленки туннельно-тонкого анодного окисла по толщине и обнаружено увеличение вероятности туннелирования через окисел под действием водорода. Установлено, что регистрация водорода по отклику фотоэдс характеризовалась большей чувствительностью и обнаружительной способностью, но меньшим быстродействием по сравнению с откликом по обратному току.
  1. Евдокимов А.В., Мушурудли М.Н., Ржанов А.Е. и др. // Зарубежная электронная техника. 1988. Т. 2 (231). С. 12--39.
  2. Puths P.F., Ashok S., Fovath S. et al. // IEEE Trans. Electr. Dev. 1981. Vol. 3D-28. N 9. P. 1003--1009
  3. Baguoli P.E., Navvini A. // Sol. St. Electron. 1987. Vol. 30. N 10. P. 1005--1012
  4. Гаман В.И., Дробот П.И., Дученко М.О. и др. // Поверхность. 1996. N 11. С. 64--73
  5. Сажин С.Г., Тихов С.В., Подольский В.В. и др. // Приборы и системы управления. 1997. N 7. С. 44--48
  6. Ковалевская Г.Г., Мередов Н.М., Руссу Е.В. и др. // ЖТФ. 1993. Т. 63 (2). С. 185--190
  7. Nie H.Y., Nannichi Y. // Jap. J. Appl. Phys. 1991. Vol. 30. N 5. P. 906--913
  8. Тихов С.В., Лесников В.П., Подольский В.В. и др. // ЖТФ. 1995. Т. 65 (11). С. 120--125
  9. Гаман В.И., Дученко М.О., Калыгина В.М. // Изв. вузов. Физика. 1998. N 1. С. 69--83
  10. Тихов С.В., Бедный Б.И., Карпович И.А. и др. // Микроэлектроника. 1981. Т. 10 (3). С. 250--254
  11. Красильникова Л.М., Ивонин И.В., Якубеня М.П. и др. // Изв. вузов. Физика. 1989. N 3. С. 60--67
  12. Родерик Э.Х. // Контакты металл--полупроводник. М., 1982. 206 с
  13. Karpovich I.A., Baidus N.V., Zvonkov B.N. et al. // Nanotechnology. 2001. Vol. 12. P. 425--429
  14. Карпович И.А., Тихов С.В., Шоболов Е.Л. и др. // ФТП. 2002. Т. 36 (5). С. 582--586
  15. Kumar V., Dahlke W.E. // Sol. St. Electon. 1977. Vol. 20. P. 143--152
  16. Тихов С.В., Мартынов В.В., Карпович И.А. и др. // Электронная техника. Сер. 2. 1982. Т. 6 (157). С. 18--24
  17. Одынец Л.Л., Орлов В.М. // Анодные окисные пленки. Л., 1990. 200 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme