Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2026, выпуск 5 » Статья стр. 939
<<<>>>
Особенности фотоэлектрических характеристик образцов CdS:Fe, полученных с применением различных методик
Российский научный фонд, Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований малыми отдельными научными группами, 22-22-00194
Харитонова П.Г. 1, Стецюра С.В. 1
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Email: haritonovapg@gmail.com, stetsyurasv@mail.ru
Поступила в редакцию: 22 декабря 2025 г.
В окончательной редакции: 22 декабря 2025 г.
Принята к печати: 22 декабря 2025 г.
Выставление онлайн: 2 апреля 2026 г.
PDF версия
Исследованы гетерофазные пленочные образцы CdS:Fe, полученные методом термического испарения в вакууме и по гибридной методике с применением технологии Ленгмюра-Блоджетт. Проведен сравнительный анализ фотоэлектрических характеристик полученных образцов, который показал существенные различия в характере изменения темновых токов и фототоков при применении указанных методик получения образцов. Наблюдаемые различия в значениях темнового тока и фототока, фоточувствительности и изменения фототоков во времени объяснены различным расположением слоев, являющихся источником Fe во время диффузии, и, как следствие, различным расположением гетерофазной области с наноразмерными включениями FeS относительно освещаемой поверхности образца. В результате процессов диффузии и преципитации в первом случае (технология Ленгмюра-Блоджетт) наиболее крупные наноразмерные преципитаты FeS образуются вблизи освещаемой поверхности, а во втором случае (термическое испарение в вакууме) - ближе к подложке. Выявлены преимущества гибридной методики получения CdS:Fe для синтеза материала с расширенным диапазоном свойств и высокой фоточувствительностью. Ключевые слова: сульфид кадмия, легированный железом, фотоэлектрические характеристики, термическое испарение в вакууме, слои Ленгмюра-Блоджетт.
  1. M. Sharma, J. Panigrahi, V.K. Komarala. Nanoscale Adv., 3 (12), 3373 (2021). DOI: 10.1039/d0na00791a
  2. C. Cao, Q. An. Cryst. Eng. Comm., 27 (21), 3404 (2025). DOI: 10.1039/D5CE00244C
  3. M. Hou, Z. Zhou, A. Xu, K. Xiao, J. Li, D. Qin, W. Xu, L. Hou. Nanomaterials, 11 (8), 2071 (2021). DOI: 10.3390/nano11082071
  4. A. Bosio, G. Rosa, N. Romeo. Solar Energy, 175, 31 (2018). DOI: 10.1016/j.solener.2018.01.018
  5. F. Gode, S. Unlu. Mater. Sci. Semicond. Process., 90, 92 (2019). DOI: 10.1016/j.mssp.2018.10.011
  6. A. Ashok, G. Regmi, A. Romero-Nunez, M. Solis-Lopez, S. Velumani, H. Castaneda. J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 31 (10), 7499 (2020). DOI: 10.1007/s10854-020-03024-3
  7. F.M. Ahmed, A.M. Muhammed Ali, R.A. Ismail, M.A. Fakhri, E.T. Salim. J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 34, 1906 (2023). DOI: 10.1007/s10854-023-11380-z
  8. M.A.K.L. Dissanayake, K. Paramanathan, G.K.R. Senadeera, C.A. Thotawattage, K. Balashangar, P. Ravirajan, B.S. Dassanayake. Thin Solid Films, 791, 140225 (2024). DOI: 10.1016/j.tsf.2024.140225
  9. K.A. Aloueedat, N.M. Ahmed, M.R.B. Omer, K. Daoudi, M.A. Almessiere. Optik, 300, 171657 (2024). DOI: 10.1016/j.ijleo.2024.171657
  10. S.M. Pawar, B.S. Pawar, J.H. Kim, Oh-Shim Joo, C.D. Lokhande. Current Appl. Phys., 11 (2), 117 (2011). DOI: 10.1016/j.cap.2010.07.007
  11. M. Shabana, M. Mustafaa, A.M. El Sayed. Mater. Sci. Semicond. Process., 56, 329 (2016). DOI: 10.1016/j.mssp.2016.09.006
  12. R.C. Ruiz-Ortega, L.A. Esquivel-Mendez, M.A. Gonzalez-Trujillo, C. Hernandez-Vasquez, Y. Matsumoto, M.D.L. Albor Aguilera. ACS Omega, 8 (35), 31725 (2023). DOI: 10.1021/acsomega.3c02158
  13. C. Doroody, K.S. Rahman, H.N. Rosly, M.N. Harif, M. Isah, Y.B. Kar, S.K. Tiong, N. Amin. Mater. Sci. Semicond. Process., 133, 105935 (2021). DOI: 10.1016/j.mssp.2021.105935
  14. Z. Pan, S. Wang, R. Yan, C. Song, Y. Jin, G. Huang, J. Huang. Opt. Mater., 109, 110324 (2020). DOI: 10.1016/j.optmat.2020.110324
  15. S. Yi lmaz, M. Tomakin, A. Unverdi, A. Aydi n, I. Polat, E. Bacaksi z. J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 31 (15), 12932 (2020). DOI: 10.1007/s10854-020-03846-1
  16. S. Chandramohan, A. Kanjilal, S.N. Sarangi, S. Majumder, R. Sathyamoorthy, T. Som. Appl. Phys. A, 99, 837 (2010). DOI: 10.1007/s00339-010-5598-z
  17. T.S. Volkov, E.M. Gavrishchyk, A.M. Kut'in, D.V. Savin, A.V. Nezhdanov, A.S. Markelov, A.I. Mashin, S.V. Kurashkin. Phys. B: Condensed Matter, 688, 416140 (2024). DOI: 10.1016/j.physb.2024.416140
  18. T. Tohidi, N. Yousefpour Novini, K. Jamshidi-Ghaleh. Opt. Mater., 151, 115394 (2024). DOI: 10.1016/j.optmat.2024.115394
  19. Y. Li, S. Chen, K. Zhang, S. Gu, J. Cao, Y. Xia, C. Yang, W. Sun, Z. Zhou. New J. Chem., 44 (34), 1144 (2020). DOI: 10.1039/D0NJ01424A
  20. K. Kaur, G.S. Lotey, N.K. Verma. J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 25 (6), 2605 (2014). DOI: 10.1007/s10854-014-1918-y
  21. С.В. Стецюра, П.Г. Харитонова, И.В. Маляр. Прикладная физика, 5, 66 (2020). [S.V. Stetsyura, P.G. Kharitonova, I.V. Malyar. Appl. Phys., 5, 66 (2020).]
  22. S.V. Stetsyura, P.G. Kharitonova. St. Petersburg State Polytechnical Univer. J. Phys. Mathem., 16 (1.2), 236 (2023). DOI: 10.18721/JPM.161.236
  23. A. Bukhtiar, B. Zou. Mater. Adv., 5 (17), 6739 (2024). DOI: 10.1039/D4MA00523F
  24. R. Khan, I. Shigidi, S. Al Otaibi, K. Althubeiti, S.S. Abdullaev, N. Rahman, Mohammad sohail, A. Khan, S. Iqbal, T. Del Rosso, Q. Zaman A. Khan. RSC Adv., 12 (55), 36126 (2022). DOI: 10.1039/D2RA06637H
  25. N. Badera, B. Godbole, S.B. Srivastava, P.N. Vishwakarma, L.S. Sharath Chandra, D. Jain, M. Gangrade, T. Shripathi, V.G. Sathe, V. Ganesan. Appl. Surf. Sci., 254 (21), 7042 (2008). DOI: 10.1016/j.apsusc.2008.05.218
  26. П.Г. Харитонова, Е.Г. Глуховской, А.В. Козловский, С.В. Стецюра. ФТП, 57 (7), 518 (2023). DOI: 10.61011/FTP.2023.07.56780.4912C [P.G. Kharitonova, E.G. Glukhovskoy, A.V. Kozlowski, S.V. Stetsyura, Semiconductors, 57 (7), 510 (2023). DOI: 10.61011/SC.2023.07.57411.4912C]
  27. С.В. Стецюра, П.Г. Харитонова, А.М. Захаревич. ЖТФ, 95 (5), 937 (2025). DOI: 10.61011/JTF.2025.05.60284.471-24 [S.V. Stetsyura, P.G. Kharitonova, A.M. Zakharevich. Tech. Phys., 70 (5), 881 (2025). DOI: 10.61011/TP.2025.05.61125.471-24]
  28. S.V. Stetsyura, P.G. Kharitonova, E.G. Glukhovskoy. St. Petersburg State Polytechnical Univer. J. Phys. Mathem., 15 (3.3), 250 (2022). DOI: 10.18721/JPM.153.349
  29. З.И. Кирьяшкина, А.Г. Роках, Н.Б. Кац, В.П. Малков, Е.А. Новикова, Н.М. Цукерман. Фотопроводящие пленки (типа CdS) (Саратовский ун-т, Саратов, 1979)
  30. Г. Хасс, Р.Э. Тун. Физика тонких пленок (Мир, М., 1968), т. 3, с. 332
  31. А.И. Янклович. В сб. Успехи коллоидной химии под. ред. А.И. Русанова (Химия, Л., 1991)
  32. M. Shkir, T. Alshahrani. J. Phys. Chem. Solids, 177, 111282 (2023). DOI: 10.1016/j.jpcs.2023.111282
  33. B. Tripathi, F. Singh, D.K. Avasthi, A.K. Bhati, D. Das, Y.K. Vijay. J. Alloys Compounds, 454 (1-2), 97 (2008). DOI: 10.1016/j.jallcom.2007.01.016
  34. С.Г. Юдин, В.В. Боднарчук, В.В. Лазарев, А.И. Смирнова, С.В. Яблонский. Жидкие кристаллы и их практическое использование, 19 (4), 50 (2019). DOI: 10.18083/LCAppl.2019.4.50 [S.G. Yudin, V.V. Bodnarchuk, V.V. Lazarev, A.I. Smirnova, S.V. Yablonskii. Liquid Crystals and their Application, 19 (4), 50 (2019). DOI: 10.18083/LCAppl.2019.4.50]
  35. А.Г. Роках, С.В. Стецюра. Неорганические материалы, 33 (2), 198 (1997). [A.G. Rokakh, S.V. Stetsyura. Inorganic Mater., 33 (2), 153 (1997).]
  36. А.Г. Роках. Письма в ЖТФ, 10 (13), 820 (1984)
  37. А.Г. Роках, С.В. Стецюра, А.А. Сердобинцев. Известия Саратовского ун-та. Серия Физика, 5 (1), 92 (2005). DOI: 10.18500/1817-3020-2005-5-1-92-102
  38. М.К. Шейнкман, Н.Е. Корсунская. Фотохимические реакции в полупроводниках типа А2В6. В кн. Физика соединений А2В6, под ред. А.Н. Георгобиани, М.К. Шейнкмана (Наука, М., 1986)

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme