Изучено влияние собственного поля тока смещения через преобразователь Холла на исследуемые объекты и точности измерений холловского магнитометра. Рассмотрено собственное поле гетероэпитаксиального преобразователя со структурой n-InSb-i-GaAs. Для проведения исследований разработана установка, позволяющая с точностью ~1 μm перемещать исследуемый преобразователь относительно измерительного вдоль оси Z на расстояние до 25 mm, вращать исследуемый преобразователь вокруг своей оси на 360^o с точностью 2^o, а также с точностью ~1 μm линейно двигать его вдоль оси X на расстояние до 5 mm. Обнаружено, что из-за разрывов контура силовых линий индукции собственного поля на краях тонкой эпитаксиальной пленки n-InSb возникают скачки индукции возле холловских контактов преобразователя. При неоднородном распределении тока смещения по сечению пленки из-за анизотропии и возникших дефектов, созданных механическими напряжениями в пленке при ее выращивании на подложке, неэквипотенциальности холловских контактов и произвольном расположении выходных проводов преобразователя приводят к созданию на холловских контактах напряжения, которое накладывается на полезный холловский сигнал, вызывая ошибку. Ключевые слова: преобразователь Холла, холловский магнетометр, собственное поле, ток смещения.