Вышедшие номера
Фотоэлектрические свойства аморфных пленок Ga2O3, легированных фосфором и селеном
Подзывалов С.Н. 1,2, Калыгина В.М. 1, Лысенко А.Б. 1,2
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2ООО "Лаборатория оптических кристаллов", Томск, Россия
Email: cginen@yandex.ru, vmkalygina@mail.ru, festality@yandex.ru
Поступила в редакцию: 24 марта 2025 г.
В окончательной редакции: 23 сентября 2025 г.
Принята к печати: 25 сентября 2025 г.
Выставление онлайн: 5 декабря 2025 г.

Представлены данные по влиянию селена и фосфора на электрические и фотоэлектрические характеристики пленок оксида галлия. Планарные структуры резистивного типа металл-Ga2O_3-металл получены на сапфировых подложках ВЧ-магнетронным напылением, расстояние между Pt-электродами составляло 1 mm. Исследовано влияние Se и P, а также смеси Se + P на темновые токи и фототоки образцов при воздействии излучений с длиной волны λ=254 и 808 nm. Ключевые слова: оксид галлия, легирование, сапфировая подложка, УФ излучение.
  1. A. Kuramata, K. Koshi, S. Watanabe, Y. Yamaoka, T. Masui, S. Yamakoshi. Jpn. J. Appl. Phys., 55, 1202A2 (2016). DOI: 10.7567/JJAP.55.1202A2
  2. T. Onuma, S. Fujioka, T. Yamaguchi, M. Higashiwaki, K. Sasaki, T. Masui, T. Honda. Appl. Phys. Lett., 103, 041910 (2013). DOI: 10.1063/1.4816759
  3. N. Suzuki, S. Ohira, M. Tanaka, T. Sugawara, K. Nakajima, T. Shishido. Phys. Status Solidi C, 4, 2310 (2007). DOI: 10.1002/pssc.200674884
  4. K.D. Leedy, K.D. Chabak, V. Vasilyev, D.C. Look, J.J. Boeckl, J.L. Brown, S.E. Tetlak, A.J. Green, N.A. Moser, A. Crespo, D.B. Thomson, R.C. Fitch, J.P. McCandless, G.H. Jessen. Appl. Phys. Lett., 111, 012103 (2017). DOI: 10.1063/1.4973812
  5. K. Goto, K. Konishi, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, M. Higashiwaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi. Thin Solid Films, 666, 182 (2018). DOI: 10.1016/j.tsf.2018.10.001
  6. S.-H. Han, A. Mauze, E. Ahmadi, T. Mates, Y. Oshima, J.S. Speck. Semicond. Sci. Technol., 33, 045001 (2018). DOI: 10.1088/1361-6641/aaaf5d
  7. X. Liu, C.-K. Tan. AIP Advances, 9, 125204 (2019). DOI: 10.1063/1.5127854
  8. H. Song, Z. Xie, Y. Liao, Y. Wang, C.-K. Tan. J. Electron. Mater., 53, 6282 (2024). DOI: 10.1007/s11664-024-11292-6
  9. R.H. Horng, X.-Y. Tsai, F.-G. Tarntair, J.-M. Shieh, S.-H. Hsu, J.P. Singh, G.-C. Su, P.-L. Liu. Mater. Today Advances, 20, 100436 (2023). DOI: 10.1016/j.mtadv.2023.100436
  10. C.-Y. Huang, X.-Y. Tsai, F.-G. Tarntair, C. Langpoklakpam, T.S. Ngo, P.-J. Wang, Y.-C. Kao, Y.-K. Hsiao, N. Tumilty, H.-C. Kuo, T.-L. Wu, C.-L. Hsiao, R.-H. Horng. Mater. Today Advances, 22, 100499 (2024). DOI: 10.1016/j.mtadv.2024.100499
  11. V.M. Kalygina, A.V. Tsymbalov, P.M. Korusenko, A.V. Koroleva, E.V. Zhizhin. Crystals, 14, 268 (2024). DOI: 10.3390/cryst14030268
  12. S. Podzyvalov, V. Kalygina, N. Yudin, E. Slyunko, M. Zinovev, V. Kuznetsov, L. Shaimerdenova, H. Baalbaki. Phys. Status Solidi A, 222, 2400844 (2025). DOI: 10.1002/pssa.202400844
  13. V.M. Kalygina, A.V. Tsymbalov, A. Almaev, B.O. Kushnarev, V.L. Oleinik, J.V. Petrova, P.A. Yunin. IEEE Sensors J., 23 (14), 15530 (2023). DOI: 10.1109/JSEN.2023.3284412
  14. X. Chen, F. Ren, S. Gu, J. Ye. Photon. Res., 7, 381 (2019). DOI: 10.1364/PRJ.7.000381
  15. C. Borelli, A. Bosio, A. Parisini, M. Pavesi, S. Vantaggio. Mater. Sci. Eng. B, 286, 116056 (2022). DOI: 10.1016/j.mseb.2022.116056
  16. M. He, Q. Zeng, L. Ye. Crystals, 13, 1434 (2023). DOI: 10.3390/cryst13101434
  17. Д.Ю. Кручинин, Е.П. Фарафонтова. Физическая химия стеклообразного состояния: учебное пособие (Изд-во Уральского ун-та, Екатеринбург, 2021)
  18. H. Zhou, L. Cong, J. Ma, B. Li, M. Chen, H. Xu, Y. Liu. J. Mater. Chem. C, 7, 13149 (2019). DOI: 10.1039/C9TC05159G
  19. Y. Liu, C. Peng, C. Liu, C. Yu, J. Guo, Y. Chang, Y. Zhao. Coatings, 14, 1204 (2024). DOI: 10.3390/coatings14091204