Фотоэлектрические свойства аморфных пленок Ga2O3, легированных фосфором и селеном
Подзывалов С.Н.
1,2, Калыгина В.М.
1, Лысенко А.Б.
1,21Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2ООО "Лаборатория оптических кристаллов", Томск, Россия
Email: cginen@yandex.ru, vmkalygina@mail.ru, festality@yandex.ru
Поступила в редакцию: 24 марта 2025 г.
В окончательной редакции: 23 сентября 2025 г.
Принята к печати: 25 сентября 2025 г.
Выставление онлайн: 5 декабря 2025 г.
Представлены данные по влиянию селена и фосфора на электрические и фотоэлектрические характеристики пленок оксида галлия. Планарные структуры резистивного типа металл-Ga2O_3-металл получены на сапфировых подложках ВЧ-магнетронным напылением, расстояние между Pt-электродами составляло 1 mm. Исследовано влияние Se и P, а также смеси Se + P на темновые токи и фототоки образцов при воздействии излучений с длиной волны λ=254 и 808 nm. Ключевые слова: оксид галлия, легирование, сапфировая подложка, УФ излучение.
- A. Kuramata, K. Koshi, S. Watanabe, Y. Yamaoka, T. Masui, S. Yamakoshi. Jpn. J. Appl. Phys., 55, 1202A2 (2016). DOI: 10.7567/JJAP.55.1202A2
- T. Onuma, S. Fujioka, T. Yamaguchi, M. Higashiwaki, K. Sasaki, T. Masui, T. Honda. Appl. Phys. Lett., 103, 041910 (2013). DOI: 10.1063/1.4816759
- N. Suzuki, S. Ohira, M. Tanaka, T. Sugawara, K. Nakajima, T. Shishido. Phys. Status Solidi C, 4, 2310 (2007). DOI: 10.1002/pssc.200674884
- K.D. Leedy, K.D. Chabak, V. Vasilyev, D.C. Look, J.J. Boeckl, J.L. Brown, S.E. Tetlak, A.J. Green, N.A. Moser, A. Crespo, D.B. Thomson, R.C. Fitch, J.P. McCandless, G.H. Jessen. Appl. Phys. Lett., 111, 012103 (2017). DOI: 10.1063/1.4973812
- K. Goto, K. Konishi, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, M. Higashiwaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi. Thin Solid Films, 666, 182 (2018). DOI: 10.1016/j.tsf.2018.10.001
- S.-H. Han, A. Mauze, E. Ahmadi, T. Mates, Y. Oshima, J.S. Speck. Semicond. Sci. Technol., 33, 045001 (2018). DOI: 10.1088/1361-6641/aaaf5d
- X. Liu, C.-K. Tan. AIP Advances, 9, 125204 (2019). DOI: 10.1063/1.5127854
- H. Song, Z. Xie, Y. Liao, Y. Wang, C.-K. Tan. J. Electron. Mater., 53, 6282 (2024). DOI: 10.1007/s11664-024-11292-6
- R.H. Horng, X.-Y. Tsai, F.-G. Tarntair, J.-M. Shieh, S.-H. Hsu, J.P. Singh, G.-C. Su, P.-L. Liu. Mater. Today Advances, 20, 100436 (2023). DOI: 10.1016/j.mtadv.2023.100436
- C.-Y. Huang, X.-Y. Tsai, F.-G. Tarntair, C. Langpoklakpam, T.S. Ngo, P.-J. Wang, Y.-C. Kao, Y.-K. Hsiao, N. Tumilty, H.-C. Kuo, T.-L. Wu, C.-L. Hsiao, R.-H. Horng. Mater. Today Advances, 22, 100499 (2024). DOI: 10.1016/j.mtadv.2024.100499
- V.M. Kalygina, A.V. Tsymbalov, P.M. Korusenko, A.V. Koroleva, E.V. Zhizhin. Crystals, 14, 268 (2024). DOI: 10.3390/cryst14030268
- S. Podzyvalov, V. Kalygina, N. Yudin, E. Slyunko, M. Zinovev, V. Kuznetsov, L. Shaimerdenova, H. Baalbaki. Phys. Status Solidi A, 222, 2400844 (2025). DOI: 10.1002/pssa.202400844
- V.M. Kalygina, A.V. Tsymbalov, A. Almaev, B.O. Kushnarev, V.L. Oleinik, J.V. Petrova, P.A. Yunin. IEEE Sensors J., 23 (14), 15530 (2023). DOI: 10.1109/JSEN.2023.3284412
- X. Chen, F. Ren, S. Gu, J. Ye. Photon. Res., 7, 381 (2019). DOI: 10.1364/PRJ.7.000381
- C. Borelli, A. Bosio, A. Parisini, M. Pavesi, S. Vantaggio. Mater. Sci. Eng. B, 286, 116056 (2022). DOI: 10.1016/j.mseb.2022.116056
- M. He, Q. Zeng, L. Ye. Crystals, 13, 1434 (2023). DOI: 10.3390/cryst13101434
- Д.Ю. Кручинин, Е.П. Фарафонтова. Физическая химия стеклообразного состояния: учебное пособие (Изд-во Уральского ун-та, Екатеринбург, 2021)
- H. Zhou, L. Cong, J. Ma, B. Li, M. Chen, H. Xu, Y. Liu. J. Mater. Chem. C, 7, 13149 (2019). DOI: 10.1039/C9TC05159G
- Y. Liu, C. Peng, C. Liu, C. Yu, J. Guo, Y. Chang, Y. Zhao. Coatings, 14, 1204 (2024). DOI: 10.3390/coatings14091204