Термоэлектрические свойства квантовых точек InGaAs/GaAs
Ministry of Education and Science of the Russian Federation within the framework of the state assignment, FSWR-2023-0037
Кузнецов Ю.М.
1,2, Дорохин М.В.
1,2, Демина П.Б.
1,2, Байдусь Н.В.
1,2, Здоровейщев А.В.
1,21Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия

Email: y.m.kuznetsov@unn.ru, dorokhin@nifti.unn.ru, demina@phys.unn.ru, bnv@nifti.unn.ru, zdorovei@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 1 апреля 2025 г.
В окончательной редакции: 16 июня 2025 г.
Принята к печати: 3 июля 2025 г.
Выставление онлайн: 5 декабря 2025 г.
Приведены исследования термоэлектрических характеристик структур, представляющих собой массив квантовых точек InAs, сформированных на полуизолирующей подложке GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии. Описаны теоретические основы возрастания термоэлектрической эффективности в системах пониженной размерности по отношению к объемным аналогам. Путем сопоставления результатов измерения температурных зависимостей термоэлектрических характеристик и фотолюминесценции (для оценки термического выброса носителей заряда) продемонстрировано влияние массива квантовых точек на величину коэффициента Зеебека и удельного сопротивления. Показано, что введение в структуру массива квантовых точек с достаточно большим размером нанокластеров обеспечивает усиление термоэлектрического эффекта и соответственно повышение фактора мощности. Ключевые слова: термоэлектрики, термоэлектрическая эффективность, квантовые точки, тонкие пленки, наноразмерные структуры.
- E. Macia-Barber. Thermoelectric Materials: Advances and Applications (Taylor \& Francis Group, LLC, 2015)
- C. Gayner, K.K. Kar. Prog. Mat. Sci., 83, 330 (2016). DOI: 10.1016/j.pmatsci.2016.07.002
- L.D. Hicks, T.C. Harman, X. Sun, M.S. Dresselhaus. Phys. Rev. B, 53 (16), R10493 (1996). DOI: 10.1103/physrevb.53.r10493
- H. Noro, K. Sato, H. Kagechika. J. Appl. Phys., 73, 1252 (1993). DOI: 10.1063/1.353266
- B.C. Sales, D. Mandrus, R.K. Williams. Science, 272 (5266), 1325 (1996). DOI: 10.1126/science.272.5266.1325
- L.D. Ivanova, Yu.V. Granatkina. Inorg. Mater., 36 (7), 672 (2000). DOI: 10.1007/BF02758419
- H. Li, J. Feng, L. Zhao, E. Min, H. Zhang, A. Li, J. Li, R. Liu. Funct. Inorg. Mater. Devices, 16 (17), 22147 (2024). DOI: 10.1021/acsami.4c02141
- H.-L. Zhuang, J. Yu, J.-F. Li. Small Sci., 5 (3), 2400284 (2024). DOI: 10.1002/smsc.202400284
- P. Cervino-Solana, M.J. Ramirez-Peral, M.S. Marti n-Gonzalez, O. Caballero-Calero. Heliyon, 10 (16), e36114 (2024). DOI: 10.1016/j.heliyon.2024.e36114
- K. Luo, H. Chen, W. Hu, P. Qian, J. Guo, Y. Deng, L. Yang, Q. Sun, L. Liu, L. Cao, W. Qiu, J. Tang. Nano Energy, 128, 109845 (2024). DOI: 10.1016/j.nanoen.2024.109845
- X. He, C. Li, S. Zhu, J. Cai, G. Yang, Y. Hao, Y. Shi, R. Wang, L. Wang, X. Li, X. Qin. Chem. Eng. J., 490, 151470 (2024). DOI: 10.1016/j.cej.2024.151470
- X. Chen, Z. Zhang. Build. Environ, 253, 111276 (2024). DOI: 10.1016/j.buildenv.2024.111276
- Q. Jiang, Y. Wan, Y. Qin, X. Qu, M. Zhou, S. Huo, X. Wang, Z. Yu, H. He. Adv. Fiber Mater., 2, 3 (2024). DOI: 10.1007/s42765-024-00416-6
- Y. Cui, X. He, W. Liu, S. Zhu, M. Zhou, Q. Wang. Adv. Fiber Mater., 6, 170 (2024). DOI: 10.1007/s42765-023-00339-8
- M. Magno, D. Brunelli, L. Sigrist, R. Andri, L. Cavigelli, A. Gomez, L. Benini. Sustain. Comput.: Inform. Syst., 11, 38 (2024). DOI: 10.1016/j.suscom.2016.05.003
- M. Takashiri, T. Shirakawa, K. Miyazaki, H. Tsukamoto. Sens. Actuators A: Phys., 138 (2), 329 (2007). DOI: 10.1016/j.sna.2007.05.030
- P. Sun, B. Wei, J. Zhang, J.M. Tomczak, A.M. Strydom, M. Sondergaard, B.B. Iversen, F. Steglich. Nat. Commun., 6, 7475 (2015). DOI: 10.1038/ncomms8475
- J. Mao, Z. Liu, Z. Ren. Quantum Mater., 1, 16028 (2016). DOI: 10.1038/npjquantmats.2016.28
- J.P. Heremans, V. Jovovic, E.S. Toberer, A. Saramat, K. Kurosaki, A. Charoenphakdee, S. Yamanaka, G.J. Snyder. Science, 321, 554 (2008). DOI: 10.1126/science.1159725
- A. Khitun, K.L. Wang, G. Chen. Nanotechnology, 11, 327 (2000). DOI: 10.1088/0957-4484/11/4/327
- M. Cutler, N.F. Mott. Phys. Rev., 181 (3), 1336 (1969). DOI: 10.1103/PhysRev.181.1336
- M.V. Maximov, A.M. Nadtochiy, S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, N.A. Kalyuzhnyy, N.V. Kryzhanovskaya, E.I. Moiseev, N.Yu. Gordeev, Y.M. Shernyakov, A.S. Payusov, F.I. Zubov, V.N. Nevedomskiy, S.S. Rouvimov, A.E. Zhukov. Appl. Sci., 10, 1038 (2020). DOI: 10.3390/app10031038
- А.В. Здоровейщев, П.Б. Демина, Б.Н. Звонков. Вестник Нижегородского ун-та, 5, 19 (2008).
- М.В. Дорохин, С.В. Зайцев, А.В. Рыков, А.В. Здоровейщев, Е.И. Малышева, Ю.А. Данилов, В.И. Зубков, Д.С. Фролов, Г.Е. Яковлев, А.В. Кудрин. ЖТФ, 87 (10), 1539 (2017). DOI: 10.21883/jtf.2017.10.44999.1989
- М.В. Дорохин, П.Б. Демина, А.В. Здоровейщев, С.В. Зайцев, А.В. Кудрин. ЖТФ, 92 (5), 724 (2022). DOI: 10.21883/JTF.2022.05.52377.302-21
- Н.В. Байдусь, П.Б. Демина, М.В. Дорохин, Б.Н. Звонков, Е.И. Малышева, Е.А. Ускова. ФТП, 39 (1), 25 (2005)
- I.A. Karpovich, S.B. Levichev, S.V. Morozov, B.N. Zvonkov, D.O. Filatov, A.P. Gorshkov, A.Yu. Ermakov. Nanotechnology, 13 (4), 445 (2002). DOI: 10.1088/0957-4484/13/4/301
- А.В. Здоровейщев, П.Б. Демина, Б.Н. Звонков. Письма в ЖТФ, 35 (2), 15 (2009)
- И.А. Карпович, А.В. Здоровейщев, С.В. Тихов, П.Б. Демина, О.Е. Хапугин. ФТП, 39 (1), 45 (2005)
- A. Deh'e, D. Pavlidis, K. Hong, H.L. Hartnagel. IEEE Trans. Electron Devices, 44 (7), 1052 (1997). DOI: 10.1109/16.595931
- L.A. Mochalov, Yu.M. Kuznetsov, M.V. Dorokhin, D.G. Fukina, A.V. Knyazev, M.A. Kudryashov, Yu.P. Kudryashova, A.A. Logunov, O.V. Mukhina, A.V. Zdoroveyshchev, D.A. Zdoroveyshchev. Thin Solid Films, 752, 139244 (2022). DOI: 10.1016/j.tsf.2022.139244
- M.V. Dorokhin, Yu.M. Kuznetsov, P.B. Demina, I.V. Erofeeva, A.Yu. Zavrazhnov, M.S. Boldin, E.A. Lantsev, A.A. Popov, A.V. Boryakov, A.V. Zdoroveyshchev, M.V. Ved. Nanoscale Microscale Thermophys. Eng., 27 (2), 125 (2023). DOI: 10.1080/15567265.2023.2198581
- Yu.M. Kuznetsov, L.A. Mochalov, M.V. Dorokhin, D.G. Fukina, M.A. Kudryashov, Y.P. Kudryashova, A.V. Zdoroveyshchev, D.A. Zdoroveyshchev, I.L. Kalentyeva, R.N. Kriukov. Coatings, 13 (6), 1030 (2023). DOI: 10.3390/coatings13061030
- M.V. Dorokhin, Yu.M. Kuznetsov, P.B. Demina, I.V. Erofeeva, A.V. Zdoroveyshchev, M.V. Ved', D.A. Zdoroveyshchev, A.Yu. Zavrazhnov, I.N. Nekrylov, S.M. Peshcherova, R.V. Presnyakov, N.V. Sakharov. Inorg. Mater.: Appl. Res., 15, 289 (2024). DOI: 10.1134/S207511332402014X
- S. Sanguinetti, M. Henini, M.G. Alessi, M. Capizzi, P. Frigeri, S. Franchi. Phys. Rev. B, 60 (11), 8276 (1999). DOI: 10.1103/PhysRevB.60.8276
- A. Chahboun, M.I. Vasilevskiy, N.V. Baidus, A. Cavaco, N.A. Sobolev, M.C. Carmo, E. Alves, B.N. Zvonkov. J. Appl. Phys., 103, 083548 (2008). DOI: 10.1063/1.2913179
- E.C. Le Ru, J. Fack, R. Murray. Phys. Rev. B, 67, 245318 (2003). DOI: 10.1103/PhysRevB.67.245318
- S. Sanguinetti, M. Padovani, M. Gurioli, E. Grilli, M. Guzzi, A. Vinattieri, M. Colocci, P. Frigeri, S. Franchi. Appl. Phys. Lett., 77, 1307 (2000). DOI: 10.1063/1.1290385
- K. Sears, S. Mokkapati, H.H. Tan. In Z.M. Wang (editor). Self-Assembled Quantum Dots (Springer, 2008), р.359-403
- T. Meng, X. Zhang, J. Yao, W. Zhang, H. Zhong, H. Zhu, Y. Zhang, H. Zhang, P. Zhang, H. Lu, Y. Zhao. Appl. Phys. Lett., 125, 044003 (2024). DOI: 10.1063/5.0213563