Изучено влияние высокоэнергетического электронного облучения (200 keV) in situ в колонне просвечивающего электронного микроскопа на образцы поликристаллических пленок оксида висмута BiO₂ и оксида меди CuO, а также на тонкие образцы дисульфида тантала TaS₂. Установлено, что воздействие электронов пучка вызывает преимущественные смещения легких атомов из узлов кристаллической решетки (для которых переданная энергия E_t превышает пороговую энергию смещения E_d) в направлении первоначального движения электронов, что обусловливает последовательное удаление их объема образца и инициирует образование фаз с пониженным содержанием легких атомов. В образцах BiO₂ происходило фазовое превращение в оксид висмута Bi₂O₃, первые признаки которого проявляются при флюенсе 1.5·10²³ e/cm², а с ростом флюенса облучения до 3.5·10²³ e/cm² данное превращение распространяется вглубь образца. При облучении образцов CuO до флюенса 0.55·10²³ e/cm² образуется оксид меди состава Cu₂O, а при флюенсе 3.3·10²³ e/cm² - металлическая медь. Фазовые превращения в TaS₂ протекают при флюенсе облучения 1.74·10²³ e/cm² с образованием TaS. Разработана модель протекания процесса удаления легких атомов из образца под действием электронного облучения. В рамках разработанной модели получены величины пороговой энергии смещения атомов кислорода 31.3 eV в BiO₂, 21.5 eV в CuO, а также для атомов серы 15.2 eV в TaS₂. Ключевые слова: фазовые превращения, флюенс, электронно-микроскопические исследования, облучение электронами, облучение электронами в электронном микроскопе, пороговая энергия смещения атома из узла кристаллической решетки, спектроскопия характеристических потерь энергии электронов (СХПЭЭ), микроскопия с атомным разрешением.