Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2025, выпуск 6 » Статья стр. 1177
<<<>>>
Потенциал микроразмерных блоков поверхности пленки NaNbO3
Минобрнауки РФ, ГЗ в сфере научной деятельности 2023 г.,, проект № FENW-2023-0015
Бунин М.А. 1, Ершин В.А.1, Чумаченко К.С.1, Раевский И.П. 1
1Южный федеральный университет, Научно-исследовательский институт физики, Ростов-на-Дону, Россия
Email: bunin.m.a@gmail.com
Поступила в редакцию: 4 декабря 2024 г.
В окончательной редакции: 14 февраля 2025 г.
Принята к печати: 17 февраля 2025 г.
Выставление онлайн: 19 мая 2025 г.
PDF версия
Проанализированы свойства собственного потенциала блоков размером ~0.1 μm2 на поверхности пленки NaNbO3, при выращивании которой возможна неустойчивая деформация несоответствия. Результаты использованы в качественной модели описания диссипации инжектированного заряда, учитывающей потенциал блоков. Ключевые слова: ниобат натрия, пленка, поверхность, блок, потенциал, заряд, деформация несоответствия, электрет.
  1. T. Mikolajick, S. Slesazeck, H. Mulaosmanovic, M.H. Park, S. Fichtner, P.D. Lomenzo, M. Hoffmann, U. Schroeder. J. Appl. Phys., 129, 100901 (2021). DOI: 10.1063/5.0037617
  2. A.R. Damodaran, J.C. Agar, S. Pandya. J. Phys.: Condens. Matter., 28, 263001 (2016). DOI: 10.1088/0953-8984/28/26/263001
  3. Y. Shiratori, A. Magrez, J. Dornseiffer, F.-H. Haegel, C. Pithan, R. Waser. J. Phys. Chem. B, 109, 20122 (2005). DOI: 10.1021/jp052974p
  4. T.M. Shaw, S. Trolier-McKinstry, P.C. McIntyre. Annu. Rev. Mater. Sci., 30, 263 (2000). DOI: 10.1146/annurev.matsci.30.1.263
  5. H. Liu, H. Wu, Kh.Ph. Ong, T. Yang, P. Yang, P.K. Das, X. Chi, Y. Zhang, C. Diao, W.K.A. Wong, E.P. Chew, Y.F. Chen, Ch.K.I. Tan, A. Rusydi, M.B.H. Breese, D.J. Singh, L.-Q. Chen, S.J. Pennycook, K. Yao. Science, 369, 292 (2020). DOI: 10.1126/science.abb3209
  6. S.B. Anooz, Y.Wang, P. Petrik, M.de Oliveira Guimaraes, M. Schmidbauer, J. Schwarzkopf. Appl. Phys. Lett., 120, 202901 (2022). DOI: 10.1063/5.0087959
  7. А.В. Павленко, Д.В. Стрюков, Н.В. Тер-Оганесян. Письма в ЖТФ, 46, 15 (2020). DOI: 10.21883/PJTF.2020.02.48946.18063
  8. A.V. Pavlenko, D.V. Stryukov, M.V. Vladimirov, A.E. Ganzha, S.A. Udovenko, A. Joseph, J. Sunil, Ch. Narayana, R.G. Burkovsky, I.P. Raevski, N.V. Ter-Oganessian. arXiv:2112.04579v1[cond-mat.mtrl-sci] 8 Dec 2021
  9. M.A. Bunin, V.A. Yorshin, M.D. Miruschenko, I.A. Donchenko, A.V. Pavlenko, O.A. Bunina, I.P. Raevski. Ferroelectrics, 590 (1), 190 (2022). DOI: 10.1080/00150193.2022.2037950
  10. М.А. Бунин, И.П. Раевский. Письма в ЖТФ, 51 (2), 6 (2025). DOI: 10.61011/PJTF.2025.02.59548.20026
  11. G.M. Sessler. Physical principles of electrets. In G.M. Sessler (ed). Electrets. Topics in Applied Physics (Springer, Berlin, Heidelberg, 1980), v. 33, p. 13-80. DOI: 10.1007/3540173358_10
  12. Ю.А. Горохватский, Г.А. Бордовский. Термоактивационная токовая спектроскопия высокоомных полупроводников и диэлектриков (Наука, М., 1991)
  13. F.T. Xu, S.M. Thaler, C.A. Lopez, J.A. Barnard, A. Butera, J.L. Weston. Appl. Phys. Lett., 86, 074105 (2005). DOI: 10.1063/1.1868067
  14. A.N. Pavlov, Yu.A. Trusov, E.M. Panchenko, F.I. Savenko, V.P. Sakhnenko. J. Phys. D: Appl. Phys., 25 1243 (1992). DOI: 10.1088/0022-3727/25/8/015
  15. H. Amjadi, C. Thielemann. IEEE Trans. Dielectr. Electr. Insul., 3, 494 (1996). DOI: 10.1109/94.536727
  16. S.O. Lisitsina, E.M. Panchenko, I.P. Raevskii, Yu.A. Trusov, E.G. Fesenko. J. Electrostat., 24, 295 (1990). DOI: 10.1016/0304-3886(90)90016-o
  17. S.V. Kalinin, Yu. Kim, D.D. Fong, A.N. Morozovska. Rep. Prog. Phys., 81, 036502 (2018). DOI: 10.1088/1361-6633/aa915a
  18. M.D. Glinchuk, A.N. Morozovska, E.A. Eliseev. Ferroelectrics, 335, 257 (2006). DOI: 10.1080/00150190600691593
  19. M.D. Glinchuk, A.N. Morozovska, E.A. Eliseev. J. Appl. Phys., 99, 114102 (2006). DOI: 10.1063/1.2198940
  20. A.K. Tagantsev, G. Gerra. J. Appl. Phys., 100, 051607 (2006). DOI: 10.1063/1.2337009
  21. A.K. Tagantsev, A.S. Yurkov. J. Appl. Phys., 112, 044103 (2012). DOI: 10.1063/1.4745037
  22. J. Wawra, K. Nielsch, R. Huhne. Materials, 16, 6036 (2023). DOI: 10.3390/ma16176036
  23. M. Saghayezhian, Z. Wang, D. Howe, P. Siwakoti, E.W. Plummer, Y. Zhu, J. Zhang. J. Phys.: Condens. Matter., 33, 275003 (2021). DOI: 10.1088/1361-648X/abfdf1
  24. V. Nagarajan, C.L. Jia, H. Kohlstedt, R. Waser, I.B. Misirlioglu, S.P. Alpay, R. Ramesh. Appl. Phys. Lett., 86, 192910 (2005). DOI: 10.1063/1.1922579
  25. Biya Cai, J. Schwarzkopf, C. Feldt. Phys. Rev. B, 95, 184108 (2017). DOI: 10.1103/PhysRevB.95.184108
  26. J. Schwarzkopf, E. Hollmann, D. Braun, M. Schmidbauer, T. Grellmann, R. Wordenweber. Phys. Rev. B, 93, 224107 (2016). DOI: 10.1103/PhysRevB.93.224107
  27. J. Koruza, P. Groszewic, H. Breitzke, G. Buntkowsky, T. Rojac, B. Maliv c. Acta Mater., 126, 77 (2017). DOI: 10.1016/j.actamat.2016.12.049
  28. G. Damamme, C. Guerret-Piecourt, T. Temga, D. Juve, D. Treheux. J. Phys. D: Appl. Phys., 41 (6), 065208 (2008). DOI: 10.1088/0022-3727/41/6/065208
  29. The Materials Project. Электронный ресурс. Режим доступа: https://materialsproject.org/materials/mp-4681/
  30. The Materials Project. Электронный ресурс. Режим доступа: https://materialsproject.org/materials/mp-3671/
  31. C. Villeneuve-Faure, K. Makasheva, L. Boudou, G. Teyssedre. Space Charge at Nanoscale: Probing Injection and Dynamic Phenomena Under Dark/Light Configurations by Using KPFM and C-AFM. In U. Celano (ed.). Electrical Atomic Force Microscopy for Nanoelectronics (Springer, 2019), p. 267-301. DOI: 10.1007/978-3-030-15612-1_9

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme