Термически инициированная модификация структуры и магнитных свойств пленочных нанокомпозитов, содержащих бислои Ta/Ni и FeMn/Ni
Министерство образования и науки РФ, Магнетизм и функциональные свойства композитов с малоразмерными структурными элементами, FEUZ-2024-0060
Васьковский В.О.1,2, Быкова А.А.1, Горьковенко А.Н.1, Кулеш Н.А.1, Лепаловский В.Н.1, Кудюков Е.В.1, Селезнева Н.В.1
1Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
2Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия

Email: Vladimir.Vaskovskiy@urfu.ru, anastasia.bykova@urfu.ru, a.n.gorkovenko@urfu.ru, vladimir.lepalovsky@urfu.ru, e.v.kudyukov@urfu.ru, N.V.Selezneva@urfu.ru
Поступила в редакцию: 4 октября 2024 г.
В окончательной редакции: 17 февраля 2025 г.
Принята к печати: 17 февраля 2025 г.
Выставление онлайн: 19 мая 2025 г.
Исследовано влияние термомагнитной обработки на структуру и магнитные свойства пленочных систем, содержащих слои Ni в соседстве со слоями Ta или антиферромагнитным слоем FeMn. Показано, что отжиг при температурах до 300 oC существенно влияет на характер наведенной анизотропии в ферромагнитном слое, что приводит к вариации анизотропии коэрцитивной силы в пленках типа Ta/Ni или анизотропии поля обменного смещения в пленках типа FeMn/Ni. Отжиг при более высокой температуре вызывает резкий рост коэрцитивной силы для пленок Ta/Ni и увеличение результирующей намагниченности для пленок FeMn/Ni при сохранении в них эффекта обменного смещения. С привлечением данных рентгенофлуоресцентного анализа, полученных на модельных образцах, сделано заключение о связи изменений магнитных свойств при высокотемпературном воздействии с неравномерной межслойной диффузией элементов, которая распространяется на глубину не менее 5 nm. Ключевые слова: отжиг, обменное смещение, диффузия, анизотропия, антиферромагнетик.
- D. Sander, S.O. Valenzuela, D. Makarov, C.H. Marrows, E.E. Fullerton, P. Fischer, J. McCord, P. Vavassori, S. Mangin, P. Pirro. J. Phys. D: Appl. Phys., 50, 36001 (2017). DOI: 10.1088/1361-6463/aa81a1
- B. Lim, M. Mahfoud, P.T. Das, T. Jeon, C. Jeon, M. Kim, T.-K. Nguyen, Q.-H. Tran, F. Terki, C.G. Kim. APL Mater., 10, 051108 (2022). DOI: 10.1063/5.0087311
- I. v Zutic, J. Fabian, S. Das Sarma. Rev. Mod. Phys., 76, 323 (2004). DOI: 10.1103/RevModPhys.76.323
- Дж. Ханди. Электронные компоненты, 3, 74 (2018)
- K. O'Grady, L.E. Fernandez-Outon, G. Vallejo-Fernandez. J. Magn. Magn. Mater., 322 (8), 883 (2010). DOI: 10.1016/j.jmmm.2009.12.011
- K. O'Grady, J. Sinclair, K. Elphick, R. Carpenter, G. Vallejo-Fernandez, M.I.J. Probert, A. Hirohata. J. Appl. Phys., 128 (4), 040901 (2020). DOI: 10.1063/5.0006077
- D. Xiong, Y. Jiang, K. Shi, A. Du, Y. Yao, Z. Guo, D. Zhu, K. Cao, S. Peng, W. Cai, D. Zhu, W. Zhao. Fundamental Research, 2 (4), 522 (2022). DOI: 10.1016/j.fmre.2022.03.016
- В.О. Васьковский, А.Н. Горьковенко, Н.А. Кулеш, В.Н. Лепаловский, П.А. Савин, А.В. Свалов, Е.А. Степанова, Н.Н. Щеголева, А.А. Ювченко. ЖТФ, 85 (1), 118 (2015). [V.O. Vas'kovskiy, V.N. Lepalovskij, A.N. Gorkovenko, N.A. Kulesh, P.A. Savin, A.V. Svalov, E.A. Stepanova, N.N. Shchegoleva, A.A. Yuvchenko. Tech. Phys., 60 (1), 116 (2015). DOI: 10.1134/S1063784215010260]
- G.V. Anderson, M. Pakala, Y. Huai. IEEE Trans. Magn., 36, 2605 (2000). DOI: 10.1109/20.908530
- M. Takiguchi, S. Ishii, E. Makino, A. Okabe. J. Appl. Phys., 87 (5), 2469 (2000). DOI: 10.1063/1.372204
- S.H. Jang, T. Kang, H.J. Kim, K.Y. Kim. J. Appl. Phys. Lett., 81 (1), 105 (2002). DOI: 10.1063/1.1491605
- R.-T. Huang, F.-R. Chen, J.-J. Kai, W. Kai, I.-F. Tsu, S. Mao. J. Magn. Magn. Mater., 260 (1-2), 28 (2003). DOI: 10.1016/S0304-8853(01)00458-9
- Y.K. Kim, G.-H. Park, S.-R. Lee, S.-H. Min, J.Y. Won, S.A. Song. J. Appl. Phys., 93 (10), 7924 (2003). DOI: 10.1063/1.1540158
- J.S. Kim, S.-R. Lee. J. Appl. Phys., 99, 08R704 (2006). DOI: 10.1063/1.2172200
- S.W. Kim, J.K. Kim, J.H. Kim, B.K. Kim, J.Y. Lee, S.S. Lee, D.G. Hwang, J.R. Rhee. J. Appl. Phys., 93 (10), 6602 (2003). DOI: 10.1063/1.1557238
- P. Savin, J. Guzman, V. Lepalovskij, A. Svalov, G. Kurlyandskaya, A. Asenjo, V. Vas'kovskiy, M. Vazquez. J. Magn. Magn. Mater., 402, 49 (2016). DOI: 10.1016/j.jmmm.2015.11.027
- К.Г. Балымов, Е.В. Кудюков, В.Н. Лепаловский, Н.А. Кулеш, В.О. Васьковский. Дефектоскопия, 7, 46 (2017)
- K.-Y. Kim, H.-C. Choi, C.-Y. You, J.-S. Lee. J. Appl. Phys., 105, 07D715 (2009). DOI: 10.1063/1.3068628
- Н.М. Лядов, В.В. Базаров, И.Р. Вахитов, А.И. Гумаров, Ш.З. Ибрагимов, Д.М. Кузина, И.А. Файзрахманов, Р.И. Хайбуллин, В.А. Шустов. ФТТ, 63 (10), 1687 (2021). DOI: 10.21883/FTT.2021.10.51424.117 [N.M. Lyadov, V.V. Bazarov, I.R. Vakhitov, A.I. Gumarov, Sh.Z. Ibragimov, D.M. Kuzina, I.A. Faizrakhmanov, R.I. Khaibullin, V.A. Shustov. Phys. Solid State, 63 (10), 1723 (2021). DOI: 10.1134/S1063783421100231]
- K.-C. Chen, Y.H. Wu, K.-M. Wu, J.C. Wu, L. Horng. J. Appl. Phys., 101 (9), 09E516 (2007). DOI: 10.1063/1.2712319
- P. Scherrer. Nachrichten von der Gesellschaft der Wissenschaften zu Gottingen, Mathematisch-Physikalische Klasse, 2, 98 (1918)
- J. Rodri guez-Carvajal. Phys. B: Condens. Matter., 192 (1-2), 55 (1993). DOI: 10.1016/0921-4526(93)90108-I
- Н.П. Юркевич, П.Г. Кужир, Р.Л. Тофпенец. Электронно-микроскопическое исследование структуры кристаллов (БНТУ, Минск, 2004)
- П.А. Савин, О.А. Аданакова, В.Н. Лепаловский, Е.В. Кудюков, В.О. Васьковский. Известия РАН. Серия физическая, 87 (4), 500 (2023). DOI: 10.31857/S0367676522700880 [P.A. Savin, O.A. Adanakova, V.N. Lepalovskij, E.V. Kudyukov, V.O. Vas'kovskiy. Bull. RAS: Phys., 87 (4), 433 (2023). DOI: 10.3103/S1062873822701398]
- A.G. Lesnik. Induced Magnetic Anisotropy (Naukova Dumka, Kiev, 1976)
- J.M.D. Coey. Magnetism and Magnetic Materials (Cambridge University Press., NY., 2010). DOI: 10.1017/CBO9780511845000
- M. Ekholm, I.A. Abrikosov. Phys. Rev. B., 84, 104423 (2011). DOI: 10.1103/PhysRevB.84.104423
- В.О. Васьковский, А.А. Быкова, А.Н. Горьковенко, М.Е. Москалев, В.Н. Лепаловский. ЖЭТФ, 165 (5), 655 (2024). DOI: 10.31857/S0044451024050067
- А.Н. Горьковенко, Н.А. Кулеш, П.А. Панченко, В.О. Васьковский. Материаловедение, 7, 3 (2019). DOI: 10.31044/1684-579X-2019-0-7-3-7 [А.N. Gorkovenko, N.A. Kulesh, P.A. Panchenko, V.O. Vaskovskiy. Inorg. Mater. Appl. Res., 11 (1), 172 (2020). DOI: 10.1134/S2075113320010141]
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.