Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2025, выпуск 3 » Статья стр. 540
<<<>>>
CVD-алмазные структуры с p-n-переходом --- диоды и транзисторы
Russian science foundation, 22-12-00309
IAP RAS State Assignment, FFUF-2024-0032
Лобаев М.А. 1, Радищев Д.Б.1, Вихарев А.Л.1, Горбачев А.М.1, Богданов С.А.1, Исаев В.А.1, Краев С.А.1, Охапкин А.И. 1, Архипова Е.А. 1, Юнин П.А. 1, Востоков Н.В.1, Демидов Е.В.1, Дроздов М.Н.1
1Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова РАН, Нижний Новгород, Россия
Email: lobaev@ipfran.ru, dibr@ipfran.ru, val@ipfran.ru, gorb@ipfran.ru, bogser@ipfran.ru, isaev@ipfran.ru, kraev@ipm.sci-nnov.ru, poa89@ipmras.ru, suroveginaka@ipmras.ru, yunin@ipmras.ru, vostokov@ipm.sci-nnov.ru, drm@ipm.sci-nnov.ru
Поступила в редакцию: 9 октября 2024 г.
В окончательной редакции: 9 октября 2024 г.
Принята к печати: 9 октября 2024 г.
Выставление онлайн: 2 марта 2025 г.
PDF версия
Исследовано легирование алмаза бором и фосфором в плазмохимическом реакторе с ламинарным потоком газа. Получены слои алмаза, сильнолегированные бором и фосфором. Слои обладали низким удельным сопротивлением при высоком кристаллическом совершенстве. На основе таких слоев созданы структуры для формирования электронных приборов на алмазе. Исследовано несколько видов алмазных приборов: диод Шоттки, pn-диод Шоттки, p-i-n-диод и полевой транзистор. Получены высокие значения пробойных полей и плотностей тока в исследованных приборах. Ключевые слова: CVD-алмаз, алмазные структуры, диод Шоттки, p-i-n-диод, полевой транзистор.
  1. S. Koizumi, H. Umezawa, J. Pernot, M. Suzuki. Power Electronics Device Applications of Diamond Semiconductors (Woodhead Publishing, Sawston, UK, 2018)
  2. N. Donato, N. Rouger, J. Pernot, G. Longobardi, F. Udrea. J. Phys. D: Appl. Phys., 53, 093001 (2020). DOI: 10.1088/1361-6463/ab4eab
  3. J. Pernot, C. Tavares, E. Gheeraert, E. Bustarret, M. Katagiri, S. Koizumi. Appl. Phys. Lett., 89, 122111 (2006). DOI: 10.1063/1.2355454
  4. V. Mortet, M. Daenen, T. Teraji, A. Lazea, V. Vorlicek, J. D'Haen, K. Haenen, M. D'Olieslaeger. Diam. Relat. Mater., 17, 1330 (2008). DOI: 10.1016/j.diamond.2008.01.087
  5. P. Muret, P.-N. Volpe, T.-N. Tran-Thi, J. Pernot, C. Hoarau, F. Omnes, T. Teraji. Diam. Relat. Mater., 20, 285 (2011). DOI: 10.1016/j.diamond.2011.01.008
  6. A.V. Inyushkin, A.N. Taldenkov, V.G. Ralchenko, A.P. Bolshakov, A.V. Koliadin, A.N. Katrusha. Phys. Rev. B, 97, 144305 (2018). DOI: 10.1103/PhysRevB.97.144305
  7. P.-N. Volpe, P. Muret, J. Pernot, F. Omnes, T. Teraji, Y. Koide, F. Jomard, D. Planson, P. Brosselard, N. Dheilly, B. Vergne, S. Scharnholz. Appl. Phys. Lett., 97, 223501 (2010). DOI: 10.1063/1.3520140
  8. H. Umezawa. Mater. Sci. Semicond. Process., 78, 147 (2018). DOI: 10.1016/j.mssp.2018.01.007
  9. E. Gheeraert, S. Koizumi, T. Teraji, H. Kanda, M. Nesladek. Phys. Stat. Sol. (a), 174, 39 (1999). DOI: 10.1002/(SICI)1521-396X(199907)174:1<39::AID-PSSA39>3.0.CO;2-E
  10. M. Katagiri, J. Isoya, S. Koizumi H. Kanda. Appl. Phys. Lett., 85, 6365 (2004). DOI: 10.1063/1.1840119
  11. J. Pernot, S. Koizumi. Appl. Phys. Lett., 93, 052105 (2008). DOI: 10.1063/1.2969066
  12. J. Pernot, P.N. Volpe, F. Omnes, P. Muret, V. Mortet, K. Haenen, T. Teraji. Phys. Rev. B, 81, 205203 (2010). DOI: 10.1103/PhysRevB.81.205203
  13. E.P. Visser, G.J. Bauhuis, G. Janssen, W. Vollenberg, W.J.P. van Enckevort, L.J. Giling. J. Phys.: Condens. Matter., 4, 7365 (1992). DOI: 10.1088/0953-8984/4/36/011
  14. Y. Takano. J. Phys.: Condens. Matter., 21, 253201 (2009). DOI: 10.1088/0953-8984/21/25/253201
  15. T. Matsumoto, H. Kato, T. Makino, M. Ogura, D. Takeuchi, H. Okushi, S. Yamasaki. Jpn. J. Appl. Phys., 53, 05FP05 (2014). DOI: 10.7567/JJAP.53.05FP05
  16. D. Eon, J. Canas. Diam. Relat. Mater., 136, 110032 (2023). DOI: 10.1016/j.diamond.2023.110032
  17. J. Asmussen, D.K. Reinhard. Diamond Films Handbook (NY., USA; Basel, Switzerland, 2002)
  18. F. Silva, K. Hassouni, X. Bonnin, A. Gicquel. J. Phys.: Condens. Matter., 21, 364202 (2009). DOI: 10.1088/0953-8984/21/36/364202
  19. A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, M.A. Lobaev, A.B. Muchnikov, D.B. Radishev, V.A. Isaev, V.V. Chernov, S.A. Bogdanov, M.N. Drozdov, J.E. Butler. Phys. Status Solidi RRL, 10 (4), 324 (2016). DOI: 10.1002/pssr.201510453
  20. New Diamond Technology. Электронный ресурс. Режим доступа: ndtcompany.com
  21. A.B. Muchnikov, A.L. Vikharev, J.E. Butler, V.V. Chernov, V.A. Isaev, S.A. Bogdanov, A.I. Okhapkin, P.A. Yunin, Y.N. Drozdov. Phys. Status Solidi A, 212 (11), 2572 (2015). DOI: 10.1002/pssa.201532171
  22. V.S. Bormashov, S.A. Tarelkin, S.G. Buga, M.S. Kuznetsov, S.A. Terentiev, A.N. Semenov, V.D. Blank. Diam. Relat. Mater., 35, 19 (2013). DOI: 10.1016/j.diamond.2013.02.011
  23. K. Boldyrev, S. Klimin, V. Denisov, S. Tarelkin, M. Kuznetsov, S. Terentiev, V. Blank. Materials, 15, 9048 (2022). DOI: 10.3390/ma15249048
  24. S. Ohmagari. Functional Diamond, 3 (1), 2259941 (2023). DOI: 10.1080/26941112.2023.2259941
  25. A. Fiori, T. Teraji. Diam. Relat. Mater., 76, 38 (2017). DOI: 10.1016/j.diamond.2017.04.007
  26. T. Teraji, H. Wada, M. Yamamoto, K. Arima, T. Ito. Diam. Relat. Mater., 15, 602 (2006). DOI: 10.1016/j.diamond.2006.01.011
  27. P.-N. Volpe, J.-C. Arnault, N. Tranchant, G. Chicot, J. Pernot, F. Jomard, P. Bergonzo. Diam. Relat. Mater., 22, 136 (2012). DOI: 10.1016/j.diamond.2011.12.019
  28. M. Ogura, H. Kato, T. Makino, H. Okushi, S. Yamasaki. J. Cryst. Growth, 317, 60 (2011). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2011.01.010
  29. S. Koizumi, T. Teraji, H. Kanda. Diam. Relat. Mater., 9, 935 (2000). DOI: 10.1016/S0925-9635(00)00217-X
  30. H. Kato, S. Yamasaki, H. Okushi. Appl. Phys. Lett., 86, 222111 (2005). DOI: 10.1063/1.1944228
  31. H. Kato, T. Makino, S. Yamasaki, H. Okushi. J. Phys. D: Appl. Phys., 40, 6189 (2007). DOI: 10.1088/0022-3727/40/20/S05
  32. H. Kato, T. Makino, M. Ogura, N. Tokuda, H. Okushi, S. Yamasaki. Appl. Phys. Exp., 2, 055502 (2009). DOI: 10.1143/APEX.2.055502
  33. M.A. Lobaev, D.B. Radishev, S.A. Bogdanov, A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, V.A. Isaev, S.A. Kraev, A.I. Okhapkin, E.A. Arhipova, M.N. Drozdov, V.I. Shashkin. Phys. Status Solidi RRL, 14 (11), 2000347 (2020). DOI: 10.1002/pssr.202000347
  34. N. Rouger, A. Marechal. Energies, 12, 2387 (2019). DOI: 10.3390/en12122387
  35. A. Traore, P. Muret, A. Fiori, D. Eon, E. Gheeraert, J. Pernot. Appl. Phys. Lett., 104, 052105 (2014). DOI: 10.1063/1.4864060
  36. V.D. Blank, V.S. Bormashov, S.A. Tarelkin, S.G. Buga, M.S. Kuznetsov, D.V. Teteruk, N.V. Kornilov, S.A. Terentiev, A.P. Volkov. Diam. Relat. Mater., 57, 32 (2015). DOI: 10.1016/j.diamond.2015.01.005
  37. D. Prikhodko, S. Tarelkina, V. Bormashova, A. Golovanova, M. Kuznetsov, D. Teteruk, N. Kornilov, A. Volkov, A. Buga. J. Superhard Mater., 41 (1), 24 (2019). DOI: 10.3103/S1063457619010039
  38. T. Makino, S. Tanimoto, Y. Hayashi, H. Kato, N. Tokuda, M. Ogura, D. Takeuchi, K. Oyama, H. Ohashi, H. Okushi, S. Yamasaki1. Appl. Phys. Lett., 94, 262101 (2009). DOI: 10.1063/1.3159837
  39. T. Makino, H. Kato, N. Tokuda, M. Ogura, D. Takeuchi, K. Oyama, S. Tanimoto, H. Okushi, S. Yamasaki. Phys. Status Solidi A, 207 (9), 2105 (2010). DOI: 10.1002/pssa.201000149
  40. T. Makino, H. Kato, D. Takeuchi, M. Ogura, H. Okushi, S. Yamasaki. Jpn. J. Appl. Phys., 51, 090116 (2012). DOI: 10.1143/JJAP.51.090116
  41. K. Oyama, S.-G. Ri, H. Kato, M. Ogura, T. Makino, D. Takeuchi, N. Tokuda, H. Okushi, S. Yamasaki. Appl. Phys. Lett., 94, 152109 (2009). DOI: 10.1063/1.3120560
  42. H. Surdi, F.A.M. Koeck, M.F. Ahmad, T.J. Thornton, R.J. Nemanich, S.M. Goodnick. IEEE Trans. Elec. Dev., 69 (1), 254 (2022). DOI: 10.1109/TED.2021.3125914
  43. H. Kato, T. Makino, M. Ogura, N. Tokuda, K. Oyama, D. Takeuchi, H. Okushi, S. Yamasaki. Phys. Status Solidi A, 207 (9), 2099 (2010). DOI: 10.1002/pssa.201000148
  44. N. Mizuochi, T. Makino, H. Kato, D. Takeuchi, M. Ogura, H. Okushi, M. Nothaft, P. Neumann, A. Gali, F. Jelezko, J. Wrachtrup, S. Yamasaki. Nat. Phot., 6, 299 (2012). DOI: 10.1038/NPHOTON.2012.75
  45. M.A. Lobaev, D.B. Radishev, A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, S.A. Bogdanov, V.A. Isaev, S.A. Kraev, A.I. Okhapkin, E.A. Arkhipova, E.V. Demidov, M.N. Drozdov. Phys. Status Solidi RRL, 17 (3), 2200432 (2022). DOI: 10.1002/pssr.202200432
  46. M.A. Lobaev, D.B. Radishev, A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, S.A. Bogdanov, V.A. Isaev, S.A. Kraev, A.I. Okhapkin, E.A. Arhipova, E.V. Demidov, M.N. Drozdov. Appl. Phys. Lett., 123, 251116 (2023). DOI: 10.1063/5.0178908
  47. K. Hirama, H. Sato, Y. Harada, H. Yamamoto, M. Kasu. Jpn. J. Appl. Phys., 51, 090112 (2012). DOI: 10.1143/JJAP.51.090112
  48. H. Kawarada, H. Tsuboi, T. Naruo, T. Yamada, D. Xu, A. Daicho, T. Saito, A. Hiraiwa. Appl. Phys. Lett., 105, 013510 (2014). DOI: 10.1063/1.4884828
  49. J. Liu, T. Teraji, B. Da, H. Ohsato, Y. Koide. IEEE Trans. Elec. Dev., 67 (4), 1680 (2020). DOI: 10.1109/TED.2020.2972979

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme