Вышедшие номера
Электролюминесценция NV-центров алмаза при температурах 450 oC-680 oC
Буга С.Г.1,2, Корнилов Н.В.1, Кузнецов М.С.1, Лупарев Н.В.1, Приходько Д.Д.1, Тарелкин С.А.1, Дроздова Т.Е.1, Жолудев С.И.1, Носухин С.А.1, Бланк В.Д.1
1Научно-исследовательский центр ” Курчатовский институт“−ТИСНУМ, Москва, Россия
2Московский физико-технический институт, Долгопрудный, Московская обл., Россия
Email: buga@tisnum.ru
Поступила в редакцию: 3 октября 2024 г.
В окончательной редакции: 28 октября 2024 г.
Принята к печати: 3 декабря 2024 г.
Выставление онлайн: 2 марта 2025 г.

Исследованы спектры электролюминесценции алмазного светоизлучающего p-i-n-диода на основе легированного азотом синтетического монокристалла алмаза (n-тип проводимости), выращенного методом роста при высоком давлении и температуре, и тонких, выращенных методом гомоэпитаксиального роста из газовой фазы, i-слоя алмаза c концентрацией азота 1014-1015 cm-3 с азот-вакансионными и кремний-вакансионными оптически активными центрами, и слоя, сильно легированного бором (p-тип проводимости). Для повышения концентрации центров люминесценции диод был облучен пучком электронов с энергией 3 MeV дозой 5·1017 cm-2 с последующим отжигом при T=800 oC в вакууме в течение 2 h. Спектры электролюминесценции измерены при температурах в диапазоне 450 oC-680 oC как до облучения электронами, так и после. До облучения электронами максимум полосы электролюминесценции наблюдался в области длин волн 610-680 nm, в зависимости от температуры, напряжения и тока диода, а после облучения электронами и отжига - на длине волны 680 nm при T=575 oC-600 oC. Максимальная интегральная яркость излучения азот-вакансионными центрами ~1012 photon/s наблюдалась при T=575 oC после облучения электронами и отжига. Ключевые слова: легированный азотом алмаз, NV-центры, алмазный p-i-n-диод, электролюминесценция, высокие температуры.